关于BJT的结构特点说法错误的是（）。
A: 基区很薄且掺杂浓度很低
B: 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C: 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D: 集电区面积大于发射区面积
A: 基区很薄且掺杂浓度很低
B: 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C: 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D: 集电区面积大于发射区面积
举一反三
- 关于BJT的结构特点，以下说法错误的是( ) A: A. 基区很薄，掺杂浓度很低 B: 发射区的掺杂浓度远大于集电区 C: 基区的掺杂浓度远大于集电区 D: 集电区面积大于发射区面积
- BJT的结构特点 A: 基区很薄，而且掺杂浓度很低。 B: 发射区掺杂浓度低于集电区。 C: 集电区的面积大于发射区。 D: 集电区的面积小于发射区。 E: 发射区掺杂浓度高于集电区。 F: 基区很薄，而且掺杂浓度很高。
- BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
- 晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。