关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-07 雪崩击穿通常发生在掺杂浓度较低的PN结中。 （ ） 雪崩击穿通常发生在掺杂浓度较低的PN结中。 （ ） 答案： 查看 举一反三 PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR()。 A: 重掺杂 B: 轻掺杂 C: 较高 D: 较低 掺杂浓度小的PN结中，雪崩击穿为主要的击穿机制。 （ ） PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。 齐纳击穿通常发生在掺杂浓度较高的PN结中。 （ ） 雪崩击穿常发生在掺杂浓度低、空间电荷区较厚的PN结，其击穿电压较高，具有()温度系数。
