表征场效应晶体管放大能力的重要参数是（ ）。
A: UGS（off）
B: gm
C: IDSS
D: UGS（th）
A: UGS（off）
B: gm
C: IDSS
D: UGS（th）
举一反三
- 表征场效应管放大能力的重要参数是。 A: 夹断电压UGS(off) B: 低频跨导gm C: 饱和漏极电流IDSS D: 开启电压UGS(th)
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)
- 欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。 A: UGS＞UGS,off B: UGS＞UGS,th C: UGS＜UGS,off D: UGS＜UGS,th
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于
- 智慧职教: 四个场效应管的输出特性如图所示(其中漏极电流的参考方向与实际方向一致)，试问它们是哪种类型的场效应管？若是耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS的大小；若是增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。（a）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(off) =（ ）V、IDSS =（ ）mA；（b）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(off) = （ ）V、IDSS = （ ）mA；（c）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(th)= （ ）V；（d）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(th)= （ ）V。