由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
举一反三
- 写出下列各组中缺少的量子数： ① n=？，li=2，mi=0，si= +1/2 ② n=2，li=？，mi=-1，si= -1/2 ③ n=4，li=2，mi=0，si= ？ ④ n=3，li=1，mi=？，si= -1/2
- 下列各组量子数中，合理的一组是（ ） A: n = 4，l = 2，m = +3，si = -1/2 B: n = 3，l = 1，m = +1，si = +1/2 C: n = 4，l = 25，m = -1，si = +1/2 D: n = 3，l = 3，m = +1，si = -1/2
- 下列各组量子数合理的是： ( ) A: n = 2 l = 1 m = 0 si= 0 B: n = 3 l = 2 m = 0 si= +1/2 C: n = 3 l = 3 m = 2 si= - 1/2 D: n = 5 l = 3 m = 4 si= - 1/2
- 硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。
- 将金刚石晶体中的C原子换作Si，所得即为Si晶体，Si晶体中，相邻原子间以__________键结合，Si晶体是__________晶体，其熔点比金刚石__________，硬度比金刚石____________。在每个Si-Si键之间插入1个O原子，所得即为SiO2晶体，SiO2晶体中，每个Si原子连接着__________个O原子，其空间几何构型为____________，每个O原子连接__________个Si原子，SiO2晶体是____________晶体，该晶体__________(“存在”或“不存在”)分子，每个最小SiO原子环上有__________个原子。