下列各组量子数中，合理的一组是（ ） A: n = 4，l = 2，m = +3，si = -1/2 B: n = 3，l = 1，m = +1，si = +1/2 C: n = 4，l = 25，m = -1，si = +1/2 D: n = 3，l = 3，m = +1，si = -1/2

下列各组量子数合理的是： ( ) A: n = 2 l = 1 m = 0 si= 0 B: n = 3 l = 2 m = 0 si= +1/2 C: n = 3 l = 3 m = 2 si= - 1/2 D: n = 5 l = 3 m = 4 si= - 1/2

写出下列各组中缺少的量子数： ① n=？，li=2，mi=0，si= +1/2 ② n=2，li=？，mi=-1，si= -1/2 ③ n=4，li=2，mi=0，si= ？ ④ n=3，li=1，mi=？，si= -1/2

下列关于耐高温新型陶瓷——氮化硅(Si3N4)的叙述，正确的是 A: 氮化硅中Si、N两种元素的质量比为4：3 B: 氮化硅中氮元素的质量分数为60％ C: 14g氮化硅中含硅8.4g D: 氮化硅的相对分子质量为l44

由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。

已知线性卷积x(n)*h(n)={-15, 4, -3, 13, -4, 3, 2}。x(n)和h(n)的6点圆周卷积和x(n)⑥h(n)为（ ）。 A: {-13, 4, -3, 13, -4, 3} B: {-15, 4, -3, 13, -4, 3, 2} C: {-15, 4, -3, 13, -4, 3} D: {-15, 4, -3, 13, -4, 3, 2}

下列关于耐高温新型陶瓷氮化硅（Si3N4）的叙述正确的是（　　） A: 氮化硅中Si、N两种元素的质量比为3：4 B: 氮化硅中氮元素的质量分数为40% C: 140g氮化硅中含硅元素的质量为84g D: 氮化硅的相对分子质量为140g

用δ(n)及其延迟项表示序列x(n)={2, -3 , 4,1},结果为( ) A: x(n)=2δ(n)-3δ(n-1)+4δ(n-2)+δ(n-3 B: x(n)=2δ(n-1)-3δ(n)+4δ(n+1)+δ(n+2) C: x(n)=2δ(n+1)-3δ(n)+4δ(n-1)+δ(n-2) D: x(n)=2δ(n)-3δ(n+1)+4δ(n+2)+δ(n+3)

int n = 3; n = n + 4; n的值为多少 A: 3 B: 7 C: 4 D: 表达式错误

已知x(n)={1, 2, 3}，y(n)={1, 2, 1}，则x(n)*y(n)=________。（下划线表示n=0） A: {1, 4, 8, 8, 3} B: {1, 4, 8, 8, 3} C: {1, 4, 8, 8, 3} D: {1, 4, 8, 8, 3}