离子注入时，避免沟道效应的措施有。
A: 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度
B: 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化
C: 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层
D: 降低靶的温度。
A: 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度
B: 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化
C: 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层
D: 降低靶的温度。
A,B,C
举一反三
- 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 A: 偏转注入或倾斜硅片 B: 在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化 C: 提高离子注入的速度 D: 衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层）
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
内容
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对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。 A: 入射离子的能量 B: 入射离子的质量 C: 入射离子的原子序数 D: 靶原子的质量、原子序数、原子密度 E: 注入离子的总剂量
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如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（ ）。 A: 增加注入剂量 B: 表面用<img src="https://image.zhihuishu.com/zhs/doctrans/docx2html/202103/007de9cb64964bd1b98c102062d405ff.png">掩膜 C: 表面预非晶化 D: 增加注入能量
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离子注入工艺过程中，下列避免通道效应的方法不包括 A: 晶圆倾斜注入 B: 晶圆表面生长屏蔽氧化层 C: 充分利用表面非晶态薄层 D: 高温退火
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离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘
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关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主