关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:
A: 靶温升高，临界剂量上升；
B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
C: 注入离子能量越高，临界剂量越低；
D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
A: 靶温升高，临界剂量上升；
B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
C: 注入离子能量越高，临界剂量越低；
D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
举一反三
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 中国大学MOOC: 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
- 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。 A: 入射离子的能量 B: 入射离子的质量 C: 入射离子的原子序数 D: 靶原子的质量、原子序数、原子密度 E: 注入离子的总剂量
- 关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主