智慧职教: 硅二极管正向导通压降约为（）V，锗二极管正向导通压降约为（）V。
0.7, 0.3
举一反三
- 硅二极管导通时的正向压降约为____V,锗二极管导通时的正向压降约为____V。
- 锗二极管正向导通压降约为 V；硅二极管门坎电压约为 V。
- 硅二极管正向导通压降约为（）V，锗二极管正向导通压降约为（）V。 A: 0.7,0.3 B: 0.3,0.7 C: 0.5,0.1 D: 0.1,0.5
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
内容
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硅二极管正向导通压降约为０.７V，锗二极管正向导通压降约为０.３V。
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普通锗二极管的死区电压约为 V，正向导通后管压降约为 V
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在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
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在计算时，普通小功率硅二极管的正向导通压降约为()V；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为()V。
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锗二极管理想状态下正向导通时其管压降约为V。