CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与()成正比。
A: 栅极电压VG;
B: 外来光的强度及照射时间;
C: 驱动时钟脉冲频率;
D: 电荷包的转移驱动方法。
A: 栅极电压VG;
B: 外来光的强度及照射时间;
C: 驱动时钟脉冲频率;
D: 电荷包的转移驱动方法。
举一反三
- CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与(<br/>)成正比。 A: 栅极电压VG B: 驱动时钟脉冲频率f C: 总受光量
- CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: CCD的电极面积 B: 时钟脉冲的驱动方式 C: 电压电平 D: CCD的材料
- CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: ACCD的电极面积 B: B时钟脉冲的驱动方式 C: C电压电平 D: DCCD的材料
- 电荷耦合器件（CCD）是一种（）器件，由于它的（）特性，即在光照下能产生与光强度成正比的电子电荷，形成（），这一特性被广泛用于CCD成像设备，即CCD摄像机。
- CCD产生的电荷由什么因素决定:( ) A: 光照时间 B: 光照强度 C: 势阱电压 D: 进光量 E: 势阱深度