CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。
A: ACCD的电极面积
B: B时钟脉冲的驱动方式
C: C电压电平
D: DCCD的材料
A: ACCD的电极面积
B: B时钟脉冲的驱动方式
C: C电压电平
D: DCCD的材料
A,B,C
举一反三
- CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: CCD的电极面积 B: 时钟脉冲的驱动方式 C: 电压电平 D: CCD的材料
- CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与(<br/>)成正比。 A: 栅极电压VG B: 驱动时钟脉冲频率f C: 总受光量
- CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与()成正比。 A: 栅极电压VG; B: 外来光的强度及照射时间; C: 驱动时钟脉冲频率; D: 电荷包的转移驱动方法。
- CCD产生的电荷由什么因素决定:( ) A: 光照时间 B: 光照强度 C: 势阱电压 D: 进光量 E: 势阱深度
- 下列关于CCD的工作过程论述正确的是： A: 当一束光照射到MOS管电容上时，在光子的作用下产生光生电子空穴对，在外加电场的作用下，向电极两端移动，这些光生电子被附近的势阱所吸引并存储。 B: 外加在MOS管电容器上的电压越高，产生的势阱越深； C: 外加在MOS管电容器上的电压一定时，产生的势阱的深度水势阱中电荷量的增加而线性下降。 D: 为了让信号电荷按照规定的方向转移，可以在MOS管电容阵列上加具有一定相位差的驱动时钟脉冲。 E: CCD信号电荷只能以电流的方式输出。
内容
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以下关于CCD的说法中，正确的有（ ）。 未知类型：{'options': ['CCD芯片上最重要的部分是MOS电容阵列。', ' 在时钟脉冲信号的作用下，CCD内的信号能够从浅势阱向深势阱转移。', ' 每个光敏元上有三个相邻的转移电极：S。', ' 线阵64位CCD有192个栅极电极，原因是：64[img=11x15]17e0a74713714a0.jpg[/img]3=192。', ' CCD势阱的深浅受栅极电压的控制：电压高，势阱浅；电压低，势阱深。', ' CCD输出的电脉冲信号与光敏元的受光强弱有关。'], 'type': 102}
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CCD电荷耦合器件的基本组成单元是（），CCD输出脉冲的顺序反映了（），脉冲幅度的高低反映了该光敏元受光的强弱。CCD之所以能存储电荷是因为在栅极上加电压后能形成针对少数载流子的（），且势阱里的电荷有由（）向（）转移的特点。
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电力电子器件根据驱动信号的类型分为。 A: 电压驱动型 B: 电流驱动型 C: 电平驱动型 D: 脉冲驱动型
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CCD电荷信号的搬移是（ ）。 A: 从势阱深的地方向势阱浅的地方 B: 从势阱浅的地方向势阱深的地方 C: 从电压高的地方向电压低的地方 D: 从电压低的地方向电压高的地方
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CCD电荷信号的搬移是（ ）。 A: 从势阱深的地方向势阱浅的地方 B: 从势阱浅的地方向势阱深的地方 C: 从电压高的地方向电压低的地方 D: 从电压低的地方向电压高的地方