CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。
A: ACCD的电极面积
B: B时钟脉冲的驱动方式
C: C电压电平
D: DCCD的材料
A: ACCD的电极面积
B: B时钟脉冲的驱动方式
C: C电压电平
D: DCCD的材料
举一反三
- CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: CCD的电极面积 B: 时钟脉冲的驱动方式 C: 电压电平 D: CCD的材料
- CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与(<br/>)成正比。 A: 栅极电压VG B: 驱动时钟脉冲频率f C: 总受光量
- CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与()成正比。 A: 栅极电压VG; B: 外来光的强度及照射时间; C: 驱动时钟脉冲频率; D: 电荷包的转移驱动方法。
- CCD产生的电荷由什么因素决定:( ) A: 光照时间 B: 光照强度 C: 势阱电压 D: 进光量 E: 势阱深度
- 下列关于CCD的工作过程论述正确的是： A: 当一束光照射到MOS管电容上时，在光子的作用下产生光生电子空穴对，在外加电场的作用下，向电极两端移动，这些光生电子被附近的势阱所吸引并存储。 B: 外加在MOS管电容器上的电压越高，产生的势阱越深； C: 外加在MOS管电容器上的电压一定时，产生的势阱的深度水势阱中电荷量的增加而线性下降。 D: 为了让信号电荷按照规定的方向转移，可以在MOS管电容阵列上加具有一定相位差的驱动时钟脉冲。 E: CCD信号电荷只能以电流的方式输出。