关于本征半导体，下列说法中错误的是（ ）。
A: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身
B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷
C: 本征半导体的费米能级基本位于禁带中线处
A: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身
B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷
C: 本征半导体的费米能级基本位于禁带中线处
举一反三
- 关于本征半导体，下列说法中错误的是（） A: 本征半导体的费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身 D: 本征半导体的电中性条件是qn0=qp0
- 关于本征半导体，下列说法中正确的是（ ） A: 本征半导体的费米能级 E =E 基本位于禁带中线处 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体的电中性条件是 qn =qp D: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身
- 下列关于本征半导体，说法正确的有？ A: 本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体 B: 本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近 C: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度 D: 本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
- 热平衡条件下，已知有两块材料相同的半导体A和B，两块半导体中的费米能级都在导带底和本征费米能级之间，其中A半导体的费米能级比B半导体的费米能级距离本征费米能级近。问哪个半导体的电子密度高。 A: A半导体 B: B半导体
- 本征半导体的费米能级一定位于禁带的正中央的位置