下列关于本征半导体，说法正确的有？
A: 本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体
B: 本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近
C: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
D: 本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
A: 本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体
B: 本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近
C: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
D: 本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
举一反三
- 若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是 （ ） A: 并半导体 B: 本征半导体 C: 金属导体 D: 杂质半导体
- 关于本征半导体，下列说法中错误的是（ ）。 A: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体的费米能级基本位于禁带中线处
- 关于本征半导体，下列说法中正确的是（ ） A: 本征半导体的费米能级 E =E 基本位于禁带中线处 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体的电中性条件是 qn =qp D: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身
- 关于本征半导体，下列说法中错误的是（） A: 本征半导体的费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身 D: 本征半导体的电中性条件是qn0=qp0
- 关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小