晶体生长是层层外推进行的。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 中国大学MOOC: 熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差
- 晶体的生长形态取决于晶体的各晶面间的相对生长速率()。 A: 正确 B: 错误
- 熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差 A: 沸点 B: 三相点 C: 熔点 D: 平衡温度
- 晶体的生长一般是先生成晶核，然后再长大。 A: 正确 B: 错误
- 下列关于成分过冷区的大小对单相合金的晶体生长方式的影响正确的是______。 A: 当界面前沿无成分过冷时，晶体趋向于平面生长。 B: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。 C: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向柱状树枝晶生长。 D: 当界面前沿存在宽成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。