增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（）。
A: 能够形成导电沟道
B: 不能形成导电沟道
C: 漏极电流不为零
A: 能够形成导电沟道
B: 不能形成导电沟道
C: 漏极电流不为零
举一反三
- 增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时 。 A: 不能形成导电沟道 B: 能够形成导电沟道 C: 漏极电流不为零 D: 漏极电压为零
- 【单选题】增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A. 能够形成导电沟道 B. 不能形成导电沟道 C. 漏极电流不为零 D. 漏极电压为零
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- N沟道增强型绝缘栅场效应管中,栅源间加正向电压大于开启电压时,建立起导电沟道,产生漏极电流。