下列属于广义遗传率的定义公式是（）。 A: H＝VG/VP×100% B: H＝VA/VP×100% C: H＝VD/VP×100% D: H＝VI/VP×100%

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2022-05-26 问题

下列属于广义遗传率的定义公式是（）。 A: H＝VG/VP×100% B: H＝VA/VP×100% C: H＝VD/VP×100% D: H＝VI/VP×100%

2022-06-19 问题

在Excel中，位于工作表第8行和H列相交的单元格的绝对地址表示为（）。 A: $8$H B: 8$H C: H$8 D: $H$8

2022-10-30 问题

金属离子M能够直接用EDTA滴定的最大Y（H）是（）。 A: logY（H） logK(MY) -8 B: logY（H）logK(MY) -8 C: logY（H） logK(MY) -8 D: logY（H）logK(MY) + 8

2022-06-08 问题

根据标准，某种材料设计的平均强力为8克。现改进工艺后，测得100个强力数据的均值为8.3，假定标准差不变。如果要检验是否由于工艺改进而使平均强力提高，则合理的零假设与备择假设应为 A: H0：μ≥8 H1：μ＜8 B: H0：μ＜8 H1：μ＞8 C: H0：μ≤8 H1：μ＞8 D: H0：μ=8 H1：μ≠8

根据标准，某种材料设计的平均强力为8克。现改进工艺后，测得100个强力数据的均值为8.3，假定标准差不变。如果要检验是否由于工艺改进而使平均强力提高，则合理的零假设与备择假设应为 A: H0：μ≥8 H1：μ＜8 B: H0：μ＜8 H1：μ＞8 C: H0：μ≤8 H1：μ＞8 D: H0：μ=8 H1：μ≠8

2022-05-31 问题

For an n-channel depletion MOSFET, IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If VGS = 0.8 V, what is the value of the drain current, ID? A: 8 mA B: 10.25 μA C: 10.28 mA D: 6 mA

2022-06-18 问题

满足条件( )的轴心受压构件可称之为短柱。未知类型：{'options': ['17e0c2f44c34cbe.png >;8(h为长边长)', ' [img=31x36]17e0c2f4585939b.png[/img]<;8', ' [img=31x36]17e0c2f4585939b.png[/img]<;8 (h为短边长)', ' [img=31x36]17e0c2f44c34cbe.png[/img] <;8'], 'type': 102}

满足条件( )的轴心受压构件可称之为短柱。未知类型：{'options': ['17e0c2f44c34cbe.png >;8(h为长边长)', ' [img=31x36]17e0c2f4585939b.png[/img]<;8', ' [img=31x36]17e0c2f4585939b.png[/img]<;8 (h为短边长)', ' [img=31x36]17e0c2f44c34cbe.png[/img] <;8'], 'type': 102}

2022-05-31 问题

For an n-channel JFFT, IDSS = 8 mA, and VP = -6 V. If VGS = -2 V. What is the value of the drain current ID? ID = ________[img=262x246]1803966ba5653a7.png[/img]

2022-06-19 问题