For an n-channel JFFT, IDSS = 8 mA, and VP = -6 V. If VGS = -2 V. What is the value of the drain current ID? ID = ________[img=262x246]1803966ba5653a7.png[/img]
3.55 mA
举一反三
- For an n-channel JFFT, IDSS = 8 mA, and VP = -6 V. If VGS = -2 V. What is the value of the drain current ID? A: 2.666 mA B: 3.5 mA C: 3.55 mA D: 5.33 mA
- For an n-channel depletion MOSFET, IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If VGS = 0.8 V, what is the value of the drain current, ID? A: 8 mA B: 10.25 μA C: 10.28 mA D: 6 mA
- For an n-channel depletion MOSFET IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If ID = 0.0095 A, what is the value of the gate-to-source voltage, VGS? A: 0.54 V B: -0.54 V C: 0.1335 V D: 6.54 V
- For an n-channel JFET IDSS = 8 mA and Vp = -6 Volts. If ID = 6 mA. What is the value of the gate-to-source voltage, VGS=? _______ A: -0.8 V B: -1.5 V C: 0.1335 V D: -4.5 V
- The value of drain current is always （ ） the value of the short circuit drain current IDSS for a given JFET.
内容
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图所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为（________） 沟道（________） 型，Vp(或VT)=（________） V，Idss=（________） mA。[img=400x400]17e447c4cf53bf4.png[/img]
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有下列条件（）就可以决定结型场效应管的转移特性曲线。 A: VDS和VGS B: VDS和ID C: VP和IDSS D: VT和IDSS
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有一空乏型（Depletion）MOSFET之IDSS=12mA，VP=－4.8V，求VGS=－2.4V时，ID=？（） A: 1mA B: 2mA C: 3mA D: 4mA
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对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
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图3-3（b）所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为（________） 沟道（________） 型，Vp(或VT)=（________） V，Idss=（________） mA。