烷烃伯仲叔氢在室温一溴代反应的活性为() A: 1:82:1600 B: 1600:82:1 C: 1:4:5
烷烃伯仲叔氢在室温一溴代反应的活性为() A: 1:82:1600 B: 1600:82:1 C: 1:4:5
【单选题】int w = 0; void fun() { w++; printf("w = %d ", w); } main() { int w = 5; w++; printf("w = %d ", w); fun(); printf("w = %d ", w); } A. w=1 w=1 w=6 B. w=6 w=0 w=6 C. w=6 w=1 w=6 D. w=5 w=1 w=6
【单选题】int w = 0; void fun() { w++; printf("w = %d ", w); } main() { int w = 5; w++; printf("w = %d ", w); fun(); printf("w = %d ", w); } A. w=1 w=1 w=6 B. w=6 w=0 w=6 C. w=6 w=1 w=6 D. w=5 w=1 w=6
某船磁差(Var)5°W,自差(Dev)1°E,则该轮的罗经差为()。 A: 6°E B: 4°W C: 1°E
某船磁差(Var)5°W,自差(Dev)1°E,则该轮的罗经差为()。 A: 6°E B: 4°W C: 1°E
二维插值函数z=interp2(x0,y0,z0,x,y,’method’)用于网格节点数据插值,下列不能作为x0,y0,z0的是( )? x0=rand(15,10); y0=rand(15,10); z0=rand(15,10);|x0=1:5; y0=1:3; z0=[82 79 84; 81 63 84; 80 61 82; 82 65 85; 84 81 86];|x0=1:5; y0=1:3; z0= [82 81 80 82 84;79 63 61; 65 81;84 84 82 85 86];|[x0,y0]=meshgrid(1:10, 1:15); z0=rand(15,10);
二维插值函数z=interp2(x0,y0,z0,x,y,’method’)用于网格节点数据插值,下列不能作为x0,y0,z0的是( )? x0=rand(15,10); y0=rand(15,10); z0=rand(15,10);|x0=1:5; y0=1:3; z0=[82 79 84; 81 63 84; 80 61 82; 82 65 85; 84 81 86];|x0=1:5; y0=1:3; z0= [82 81 80 82 84;79 63 61; 65 81;84 84 82 85 86];|[x0,y0]=meshgrid(1:10, 1:15); z0=rand(15,10);
二维插值函数z=interp2(x0,y0,z0,x,y,’method’)用于网格节点数据插值,下列不能作为x0,y0,z0的是( ) A: x0=1:5; y0=1:3; z0=[82 79 84; 81 63 84; 80 61 82; 82 65 85; 84 81 86]; B: x0=1:5; y0=1:3; z0= [82 81 80 82 84;79 63 61 65 81;84 84 82 85 86]; C: [x0,y0]=meshgrid(1:10, 1:15); z0=rand(15,10); D: x0=rand(15,10); y0=rand(15,10); z0=rand(15,10);
二维插值函数z=interp2(x0,y0,z0,x,y,’method’)用于网格节点数据插值,下列不能作为x0,y0,z0的是( ) A: x0=1:5; y0=1:3; z0=[82 79 84; 81 63 84; 80 61 82; 82 65 85; 84 81 86]; B: x0=1:5; y0=1:3; z0= [82 81 80 82 84;79 63 61 65 81;84 84 82 85 86]; C: [x0,y0]=meshgrid(1:10, 1:15); z0=rand(15,10); D: x0=rand(15,10); y0=rand(15,10); z0=rand(15,10);
DIP的封装面积与芯片面积比大概为:( ) A: 82:1 B: 1:82 C: 85:1 D: 1:85 E: 100:1 F: 1:100
DIP的封装面积与芯片面积比大概为:( ) A: 82:1 B: 1:82 C: 85:1 D: 1:85 E: 100:1 F: 1:100
DIP的封装面积与芯片面积比大概为:() A: 82:1 B: 1:82 C: 85:1 D: 1:85 E: 100:1 F: 1:100
DIP的封装面积与芯片面积比大概为:() A: 82:1 B: 1:82 C: 85:1 D: 1:85 E: 100:1 F: 1:100
406 MHz EPIRB发射功率为____。( )。 A: 5 W B: 1 W C: 25 W D: 10 W
406 MHz EPIRB发射功率为____。( )。 A: 5 W B: 1 W C: 25 W D: 10 W
带权为2、3、5、7、8、9的最优树T,权W(T)=()。 A: 82 B: 83 C: 84 D: 85
带权为2、3、5、7、8、9的最优树T,权W(T)=()。 A: 82 B: 83 C: 84 D: 85
弹奏这种伴奏音型的指法一般是() A: 4/21/5/21 B: 3/21/5/21 C: 5/21/5/21 D: 4/31/5/31
弹奏这种伴奏音型的指法一般是() A: 4/21/5/21 B: 3/21/5/21 C: 5/21/5/21 D: 4/31/5/31