阻容耦合放大器高频段放大倍数下降的主要原因是（）引起的。 A: 极间电容和旁路电容 B: 分布电容和耦合电容 C: 耦合电容和旁路电容 D: 极间电容和分布电容
阻容耦合放大器高频段放大倍数下降的主要原因是（）引起的。 A: 极间电容和旁路电容 B: 分布电容和耦合电容 C: 耦合电容和旁路电容 D: 极间电容和分布电容
阻容耦合的放大电路中，影响上限频率的主要因素为（ ）。 A: 耦合电容 B: 分布电容 C: 耦合电容及分布电容 D: 其它答案均不对
阻容耦合的放大电路中，影响上限频率的主要因素为（ ）。 A: 耦合电容 B: 分布电容 C: 耦合电容及分布电容 D: 其它答案均不对
二极管的结电容包括（ ）。 A: 扩散电容 B: 分布电容 C: 势垒电容
二极管的结电容包括（ ）。 A: 扩散电容 B: 分布电容 C: 势垒电容
驱动电缆技术可以降低电缆分布电容对电容传感器的影响。()
驱动电缆技术可以降低电缆分布电容对电容传感器的影响。()
影响放大电路下限频率的因素主要有（）。 A: 三极管的结间电容 B: 耦合电容 C: 分布电容 D: 电源的滤波电容
影响放大电路下限频率的因素主要有（）。 A: 三极管的结间电容 B: 耦合电容 C: 分布电容 D: 电源的滤波电容
在中频区,耦合电容和旁路电容可以视为(),三极管间的极间电容和电路中的分布电容可以视为()
在中频区,耦合电容和旁路电容可以视为(),三极管间的极间电容和电路中的分布电容可以视为()
PN结电容按其产生机制和作用的不同分为（）。 A: 势垒电容 B: 分布电容 C: 扩散电容 D: 附加电容
PN结电容按其产生机制和作用的不同分为（）。 A: 势垒电容 B: 分布电容 C: 扩散电容 D: 附加电容
在高频条件下，分布电容和分布电感对电路的影响很大。（ ）
在高频条件下，分布电容和分布电感对电路的影响很大。（ ）
影响放大电路下限频率的因素主要有（）。 A: A三极管的结间电容 B: B耦合电容 C: C分布电容 D: D电源的滤波电容
影响放大电路下限频率的因素主要有（）。 A: A三极管的结间电容 B: B耦合电容 C: C分布电容 D: D电源的滤波电容
影响放大电路通频带的因素有哪些 A: 耦合电容 B: 晶体管的结电容和电路的分布电容 C: 旁路电容
影响放大电路通频带的因素有哪些 A: 耦合电容 B: 晶体管的结电容和电路的分布电容 C: 旁路电容