晶体管的反向击穿电压参数中,哪个是最大的。 A: U(BR)EBO B: U(BR)CBO C: U(BR)CEO
晶体管的反向击穿电压参数中,哪个是最大的。 A: U(BR)EBO B: U(BR)CBO C: U(BR)CEO
晶体管的反向击穿电压参数中,哪个是最小的。 A: U(BR)EBO B: U(BR)CBO C: U(BR)CEO
晶体管的反向击穿电压参数中,哪个是最小的。 A: U(BR)EBO B: U(BR)CBO C: U(BR)CEO
埃博拉定病毒五个分型中,最易导致人类感染暴发大流行的是() A: 扎伊尔亚型(EBO-Z) B: 莱斯顿亚型(EBO-R) C: Bundibugyo型 D: 苏丹亚型(EBO-S)
埃博拉定病毒五个分型中,最易导致人类感染暴发大流行的是() A: 扎伊尔亚型(EBO-Z) B: 莱斯顿亚型(EBO-R) C: Bundibugyo型 D: 苏丹亚型(EBO-S)
机械零件的强度条件可以写成____。 A: σ≤[σ],τ≤[τ]或Sσ≤[S]σ,Sτ≤[S]τ B: σ≥[σ],τ≥[τ]或Sσ≥[S]σ,Sτ≥[S]τ C: σ≤[σ],τ≤[τ]或Sσ≥[S]σ,Sτ≥[S]τ D: σ≥[σ],τ≥[τ]或Sσ≤[S]σ,Sτ≤[S]τ
机械零件的强度条件可以写成____。 A: σ≤[σ],τ≤[τ]或Sσ≤[S]σ,Sτ≤[S]τ B: σ≥[σ],τ≥[τ]或Sσ≥[S]σ,Sτ≥[S]τ C: σ≤[σ],τ≤[τ]或Sσ≥[S]σ,Sτ≥[S]τ D: σ≥[σ],τ≥[τ]或Sσ≤[S]σ,Sτ≤[S]τ
球面镜的物距为s,象距为s′,则横向放大率为()。 A: s′/s B: s/s′ C: -s′/s D: -s/s′
球面镜的物距为s,象距为s′,则横向放大率为()。 A: s′/s B: s/s′ C: -s′/s D: -s/s′
【单选题】在压力为 p 时 ,饱和水的熵为 s ′;干饱和蒸汽的熵为 s ′′。当湿蒸汽的干度0 <x<1 时 ,其熵为 s ,则() A.s′′ >s>s ′ B.s>s ′′> s ′ C.s<s ′ <s ′′ D. s ′ >s>s ′′ A. s″ >s>s ′ B. s>s ″> s ′ C. s ′ ″ D. s ′ >s>s ″
【单选题】在压力为 p 时 ,饱和水的熵为 s ′;干饱和蒸汽的熵为 s ′′。当湿蒸汽的干度0 <x<1 时 ,其熵为 s ,则() A.s′′ >s>s ′ B.s>s ′′> s ′ C.s<s ′ <s ′′ D. s ′ >s>s ′′ A. s″ >s>s ′ B. s>s ″> s ′ C. s ′ ″ D. s ′ >s>s ″
【单选题】下列分子的构型(R/S)是 () A. S,S,R B. S,S,S C. S,R,S D. R,S,S
【单选题】下列分子的构型(R/S)是 () A. S,S,R B. S,S,S C. S,R,S D. R,S,S
下述对命题“若S ≠Ø, S×A ⊆ S×B ,则 A ⊆ B”,那个论证是正确的? A: 对∀a∊A,因为S ≠Ø, 存在s∊S,使∊ S×A,由S×A ⊆ S×B ,知∊ S×B,得a∊B。 B: 对∀∊ S×A,有a∊A。因为S×A ⊆ S×B ,知∊ S×B,得a∊B。 C: 对∀s∊ S,有a∊A,所以∊ S×A。因为S×A ⊆ S×B ,所以∊ S×B。
下述对命题“若S ≠Ø, S×A ⊆ S×B ,则 A ⊆ B”,那个论证是正确的? A: 对∀a∊A,因为S ≠Ø, 存在s∊S,使∊ S×A,由S×A ⊆ S×B ,知∊ S×B,得a∊B。 B: 对∀∊ S×A,有a∊A。因为S×A ⊆ S×B ,知∊ S×B,得a∊B。 C: 对∀s∊ S,有a∊A,所以∊ S×A。因为S×A ⊆ S×B ,所以∊ S×B。
以下正确的程序段是: char *s; scanf("%s", s);|char s[20], *t=s;scanf("%s", t[2]);|char s[20]; scanf("%s", &s);|char s[20]; scanf("%s", &s[2]);
以下正确的程序段是: char *s; scanf("%s", s);|char s[20], *t=s;scanf("%s", t[2]);|char s[20]; scanf("%s", &s);|char s[20]; scanf("%s", &s[2]);
外阴的神经支配主要是()。 A: S~S B: S~S C: L~S D: S~S E: L~S
外阴的神经支配主要是()。 A: S~S B: S~S C: L~S D: S~S E: L~S