Th细胞表面特有的标志是()。 A: CD B: CD C: CD D: TCR E: CD
Th细胞表面特有的标志是()。 A: CD B: CD C: CD D: TCR E: CD
在传染性非典型肺炎发病机理中,下列哪一项是正确的() A: 患者CD<sub>4</sub>升高,CD<sub>8</sub>下降 B: 患者CD<sub>4</sub>下降,CD<sub>8</sub>升高 C: 患者CD<sub>4</sub>升高,CD<sub>8</sub>升高 D: 患者CD<sub>4</sub>下降,CD<sub>8</sub>下降 E: 患者CD<sub>4</sub>、CD<sub>8</sub>无变化
在传染性非典型肺炎发病机理中,下列哪一项是正确的() A: 患者CD<sub>4</sub>升高,CD<sub>8</sub>下降 B: 患者CD<sub>4</sub>下降,CD<sub>8</sub>升高 C: 患者CD<sub>4</sub>升高,CD<sub>8</sub>升高 D: 患者CD<sub>4</sub>下降,CD<sub>8</sub>下降 E: 患者CD<sub>4</sub>、CD<sub>8</sub>无变化
给定二阶曲线 [img=139x27]18038a9d815d3af.png[/img] 与点(1,4,0)。则此曲线过该点的切线线坐标为 A: [1, 4, 17] B: [1, 4,-17] C: [4,-1, 17] 和 [4, -1, -17] D: [1,-4,-17] 和 [1, -4, 17]
给定二阶曲线 [img=139x27]18038a9d815d3af.png[/img] 与点(1,4,0)。则此曲线过该点的切线线坐标为 A: [1, 4, 17] B: [1, 4,-17] C: [4,-1, 17] 和 [4, -1, -17] D: [1,-4,-17] 和 [1, -4, 17]
请给出下列命令的执行结果: (1)cd / (2)cd .. (3)cd ../.. (4)cd
请给出下列命令的执行结果: (1)cd / (2)cd .. (3)cd ../.. (4)cd
下列电对中,标准电极电势最小的一组是()。[img=432x51]17e0bb01c81da8e.png[/img] A: Cd2+/Cd B: [CdCl4]2-/Cd C: [Cd(CN)4]2-/Cd D: [Cd(SCN)4]2-/Cd
下列电对中,标准电极电势最小的一组是()。[img=432x51]17e0bb01c81da8e.png[/img] A: Cd2+/Cd B: [CdCl4]2-/Cd C: [Cd(CN)4]2-/Cd D: [Cd(SCN)4]2-/Cd
用针对哪些CD分子的单克隆抗体可以分离出Th细胞? A: CD3 B: CD4 C: CD5 D: CD8 E: CD16
用针对哪些CD分子的单克隆抗体可以分离出Th细胞? A: CD3 B: CD4 C: CD5 D: CD8 E: CD16
T细胞表面特异性CD抗原是()。 A: CD<sub>4</sub> B: CD<sub>8</sub> C: CD<sub>l9</sub> D: CD<sub>3</sub> E: CD<sub>40</sub>
T细胞表面特异性CD抗原是()。 A: CD<sub>4</sub> B: CD<sub>8</sub> C: CD<sub>l9</sub> D: CD<sub>3</sub> E: CD<sub>40</sub>
对数据序列(26, 14, 17, 12, 7, 4, 3)采用二路归并排序进行升序排序,两趟排序后,得到的排序结果为_________。 A: 14, 26, 17, 12, 4, 7, 3 B: 12, 14, 17, 26, 3, 4, 7 C: 14, 26, 12, 17, 3, 4, 7 D: 14, 26, l2, 17, 3, 7, 4
对数据序列(26, 14, 17, 12, 7, 4, 3)采用二路归并排序进行升序排序,两趟排序后,得到的排序结果为_________。 A: 14, 26, 17, 12, 4, 7, 3 B: 12, 14, 17, 26, 3, 4, 7 C: 14, 26, 12, 17, 3, 4, 7 D: 14, 26, l2, 17, 3, 7, 4
Cd2+与过量的氨水反应生成( )。 A: [Cd(NH3)2]2+ B: [Cd(NH3)3]2+ C: [Cd(NH3)4]2+ D: [Cd(NH3)5]2+
Cd2+与过量的氨水反应生成( )。 A: [Cd(NH3)2]2+ B: [Cd(NH3)3]2+ C: [Cd(NH3)4]2+ D: [Cd(NH3)5]2+
N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)
N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)