N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是？
A: VGS>VGS(th)，VDS>VGS-VGS(th)
B: VGS>VGS(th)，VDSVGS-VGS(th)
C: VGSVGS(th)，VDS>VGS-VGS(th)
D: VGS
A: VGS>VGS(th)，VDS>VGS-VGS(th)
B: VGS>VGS(th)，VDSVGS-VGS(th)
C: VGSVGS(th)，VDS>VGS-VGS(th)
D: VGS
A
举一反三
- P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- NMOS管的开启电压VGS(th)=2V外加漏源电压VDD=10V ,为使管子截止,则要求VGS(th)( )。 A: 2V B: =2V C: 2V D: ≤2V
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
内容
- 0
在图3-6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的，VGS(th)=-1V，并忽略沟道长度调制效应。
- 1
N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， （ ） A: VGS为正电压，VDS为正电压 B: VGS为正电压，VDS为负电压 C: VGS为负电压，VDS为正电压 D: VGS为负电压，VDS为负电压
- 2
P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。
- 3
对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（ ）。 A: VGS，VDS B: VDS，VGS C: VGS，IDS D: IGS，VDS
- 4
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。