以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SBD，简称为肖特基二极管。
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SBD，简称为肖特基二极管。
肖特基势垒二极管的电流电压特性与pn结二极管有何不同?(<br/>) A: 肖特基势垒二极管的反向电流远大于pn结二极管的反向电流; B: 肖特基势垒二极管的开启电压小于pn结势垒二极管的开启电压; C: 肖特基势垒二极管的频率相应快于pn结势垒二极管的开启电压; D: 理想肖特基势垒二极管反向电流不饱和,而理想pn结二极管的反向电流饱和;
肖特基势垒二极管的电流电压特性与pn结二极管有何不同?(<br/>) A: 肖特基势垒二极管的反向电流远大于pn结二极管的反向电流; B: 肖特基势垒二极管的开启电压小于pn结势垒二极管的开启电压; C: 肖特基势垒二极管的频率相应快于pn结势垒二极管的开启电压; D: 理想肖特基势垒二极管反向电流不饱和,而理想pn结二极管的反向电流饱和;
势垒的镜像力会提高肖特基势垒的高度。
势垒的镜像力会提高肖特基势垒的高度。
势垒的镜像力会提高肖特基势垒的高度。 A: 正确 B: 错误
势垒的镜像力会提高肖特基势垒的高度。 A: 正确 B: 错误
对于金属/半导体肖特基二极管( ).ll A: 镜像力效应会增大反向电流 B: 镜像力效应会增大势垒电容 C: 隧道效应会增大反向电流 D: 隧道效应会增高肖特基势垒
对于金属/半导体肖特基二极管( ).ll A: 镜像力效应会增大反向电流 B: 镜像力效应会增大势垒电容 C: 隧道效应会增大反向电流 D: 隧道效应会增高肖特基势垒
肖特基二极管和PN结二极管主要的区别包括() A: 肖特基二极管是多子器件,而PN结二极管是少子器件 B: 肖特基二极管无电荷存储,而PN结二极管有电荷存储效应 C: 肖特基二极管适用于高频器件,而PN结二极管适用于低频器件 D: 肖特基二极管开启电压相对较小
肖特基二极管和PN结二极管主要的区别包括() A: 肖特基二极管是多子器件,而PN结二极管是少子器件 B: 肖特基二极管无电荷存储,而PN结二极管有电荷存储效应 C: 肖特基二极管适用于高频器件,而PN结二极管适用于低频器件 D: 肖特基二极管开启电压相对较小
肖特基二极管反向漏电流大的原因是（ ）。 A: 漂移电流大 B: 耗尽层宽 C: 镜像势垒降低效应 D: 隧穿效应
肖特基二极管反向漏电流大的原因是（ ）。 A: 漂移电流大 B: 耗尽层宽 C: 镜像势垒降低效应 D: 隧穿效应
影响肖特基势垒电流电压特性的非理想因素有(<br/>) A: 表面态 B: 镜像力 C: 大注入 D: 势垒区的产生与复合
影响肖特基势垒电流电压特性的非理想因素有(<br/>) A: 表面态 B: 镜像力 C: 大注入 D: 势垒区的产生与复合
理想肖特基势垒二极管的肖特基势垒大小由什么因素决定?(<br/>) A: 金属功函数大小 B: 半导体亲合能大小 C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置 D: 金属功函数和半导体亲和能之差
理想肖特基势垒二极管的肖特基势垒大小由什么因素决定?(<br/>) A: 金属功函数大小 B: 半导体亲合能大小 C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置 D: 金属功函数和半导体亲和能之差
下列关于肖特基二极管和快恢复二极管的说法正确的是()。 A: 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管 B: 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管 C: 快恢复二极管的正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。 D: 肖特基二极管具有正向压降低、反向恢复时间很短,而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合
下列关于肖特基二极管和快恢复二极管的说法正确的是()。 A: 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管 B: 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管 C: 快恢复二极管的正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。 D: 肖特基二极管具有正向压降低、反向恢复时间很短,而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合