已知电路中的电源电动势是1.5 V，内电阻是0.1Ω，外电路的电阻是1.4Ω。则电路中的电流 I 和路端电压U A: 1A，1.5V B: 1A，1.4V C: 0.1A，1.4V D: 2A，2.8V
已知电路中的电源电动势是1.5 V，内电阻是0.1Ω，外电路的电阻是1.4Ω。则电路中的电流 I 和路端电压U A: 1A，1.5V B: 1A，1.4V C: 0.1A，1.4V D: 2A，2.8V
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
有害气体报警电路VT导通时B点电位（ ） A: 低于1.4V B: 高于1.4V C: 等于1.4V D: 1.2V
有害气体报警电路VT导通时B点电位（ ） A: 低于1.4V B: 高于1.4V C: 等于1.4V D: 1.2V
TTL与非门输入端的电压超过 V时，输出端将跳变为低电平。 A: 0.7 V B: 1.4 V C: 0.3 V D: 2.1V
TTL与非门输入端的电压超过 V时，输出端将跳变为低电平。 A: 0.7 V B: 1.4 V C: 0.3 V D: 2.1V
G30V电源范围：+30V±V（） A: 1.2 B: 1.3 C: 1.4 D: 1.5
G30V电源范围：+30V±V（） A: 1.2 B: 1.3 C: 1.4 D: 1.5
内阻为0.1Ω、电动势为1.5 V的电源两端接一个1.4 Ω的电阻上的压降为( )V
内阻为0.1Ω、电动势为1.5 V的电源两端接一个1.4 Ω的电阻上的压降为( )V
碱性蓄电池充电完成后，测量单体电压不低于V（） A: 1.1 B: 1.2 C: 1.3 D: 1.4
碱性蓄电池充电完成后，测量单体电压不低于V（） A: 1.1 B: 1.2 C: 1.3 D: 1.4
两只硅稳压管的稳压值分别为8V和7.5V，将它们串联使用时，可获得的四种稳压值是（）。 A: 5.5V，8.3V，7.8V，1.4V B: 15.5V，8.7V，8.2V，1.4V C: 15.5V，7.3V，6.8V，1.4V D: 15.5V，7.7V，7.2V，0.6V
两只硅稳压管的稳压值分别为8V和7.5V，将它们串联使用时，可获得的四种稳压值是（）。 A: 5.5V，8.3V，7.8V，1.4V B: 15.5V，8.7V，8.2V，1.4V C: 15.5V，7.3V，6.8V，1.4V D: 15.5V，7.7V，7.2V，0.6V
已知载频f0=1MHz,调制信号vΩ(t) = 0.2cos2π×103t (V),调频灵敏度kf =2000π rad/s∙V。若调制信号变为vΩ(t) = 20cosπ×103t (V),调频后带宽变为( )。 A: 41kHz B: (80π+1) kHz C: 1.4 kHz D: 2.4 kHz
已知载频f0=1MHz,调制信号vΩ(t) = 0.2cos2π×103t (V),调频灵敏度kf =2000π rad/s∙V。若调制信号变为vΩ(t) = 20cosπ×103t (V),调频后带宽变为( )。 A: 41kHz B: (80π+1) kHz C: 1.4 kHz D: 2.4 kHz