三极管的型号为3DG6,它是()三极管。 A: APNP型锗 B: BNPN型锗 C: CPNP型硅 D: DNPN型硅
三极管的型号为3DG6,它是()三极管。 A: APNP型锗 B: BNPN型锗 C: CPNP型硅 D: DNPN型硅
将硼元素掺进硅晶体内,则成为何种半导体?() A: AN型 B: BP型 C: C本质型半导体 D: DNPN型
将硼元素掺进硅晶体内,则成为何种半导体?() A: AN型 B: BP型 C: C本质型半导体 D: DNPN型
结型场效应管可分为()。 A: AMOS管和MNS管 B: BN沟道和P沟道 C: C增强型和耗尽型 D: DNPN型和PNP型
结型场效应管可分为()。 A: AMOS管和MNS管 B: BN沟道和P沟道 C: C增强型和耗尽型 D: DNPN型和PNP型
()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。 A: A本征半导体 B: BP型半导体 C: CN型半导体 D: DNPN型半导体
()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。 A: A本征半导体 B: BP型半导体 C: CN型半导体 D: DNPN型半导体
在OTL功率放大器中,两晶体三极管特性和参数相同并且一定是()。 A: ANPN管与NPN管 B: BPNP管与PNP管 C: CNPN管与PNP管 D: DNPN管或PNP管
在OTL功率放大器中,两晶体三极管特性和参数相同并且一定是()。 A: ANPN管与NPN管 B: BPNP管与PNP管 C: CNPN管与PNP管 D: DNPN管或PNP管
NPN、PNP三极管工作放大状态时,其发射结()。 A: A均加反向电压 B: B均加正向电压 C: CNPN管加正向电压,PNP管加反向电压 D: DNPN管加反向电压,PNP管加正向电压
NPN、PNP三极管工作放大状态时,其发射结()。 A: A均加反向电压 B: B均加正向电压 C: CNPN管加正向电压,PNP管加反向电压 D: DNPN管加反向电压,PNP管加正向电压
关于晶体管反向漏电流,以下说法正确是()。 A: A相同功率的锗管反向漏电流大于硅管 B: BNPN管反向漏电流小于PNP管 C: C电压越高越大 D: DNPN管反向漏电流大于PNP管
关于晶体管反向漏电流,以下说法正确是()。 A: A相同功率的锗管反向漏电流大于硅管 B: BNPN管反向漏电流小于PNP管 C: C电压越高越大 D: DNPN管反向漏电流大于PNP管
用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用黑表笔接一个极,用红表笔分别测另两个极,测得的电阻都很小,则黑表笔接的是()。 A: ANPN的发射极 B: BPNP的发射极 C: CPNP的基极 D: DNPN的基极
用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用黑表笔接一个极,用红表笔分别测另两个极,测得的电阻都很小,则黑表笔接的是()。 A: ANPN的发射极 B: BPNP的发射极 C: CPNP的基极 D: DNPN的基极
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