下面哪些晶体是闪锌矿结构？ A: ZnO B: 金刚石 C: GaN D: InP E: -ZnS

容积为[tex=1.786x1.214]0/mkPEy69SNDKkq/d2FnQQ==[/tex]的容器中充满[tex=1.214x1.214]fDvbj5thyHcfDFTNdk3KeQ==[/tex], 其温度为[tex=2.143x1.071]mrYnzy2TFRKIW+QJLIWRIw==[/tex], 表压力为 [tex=5.071x1.214]YI1cGwIXOwGDFqyraRBSNA==[/tex], 当时当地大气压为[tex=4.571x1.214]ZNDow0zQSavTE2w9pG4mSQ==[/tex] 。为了确定其质量, 得出了结果,请判断其是否正确?若有错误请改正。[tex=17.857x2.571]iNP/3OJwUtOnvM3MZd7my7t4hN84boJR4xoMYmnrLOyRN4u6d47CXvbxVLxMsxAmZheWquZz4KidB3NgJphgnvmyJ4Or3ifbuqEt/ic4HMt+h7S8LK++FDARG4h56I6SNtv+lGKFQNVmNA/m/cexcQ==[/tex]

下面哪些晶体是闪锌矿结构？ A: ZnO B: 金刚石 C: GaN D: InP E: -ZnS

短路稳态电流i∞是短路电流非周期分量inp衰减完毕的短路电流

以下半导体材料中属于化合物半导体的是（）体。 A: SiC B: InP C: Si D: GaN

短路全电流ik 是短路电流周期分量ip与短路电流非周期分量inp之和

在下面的材料中，哪个材料属于间接带隙的半导体材料（ ） A: InP B: GaAs C: GaP

以下哪种半导体材料是典型的光通信器件用III-V族半导体材料？ A: GaAs B: Si C: InP D: SiGe

若使用串口助手下载程序到单片机,则需要keil软件生成()文件。 A: Inp B: Dsp C: Hex D: Crf

半导体材料的发展实际上可以划分为三个时代，下列哪些材料属于第三代半导体材料（ ）。 A: GaN B: InP C: ZnSe D: GaAs

下列哪种晶体，是由两套某种结构沿体对角线平移二分之一套构而成？ A: NaCl B: CsCl C: GaAs D: ZnS E: AlAs F: InP

在下面的材料中，哪个材料属于间接带隙的半导体材料（） A: InP B: GaAs C: GaP

半导体材料的发展实际上可以划分为三个时代，下列哪些材料属于第三代半导体材料（）。 A: GaN B: InP C: ZnSe D: GaAs