已知$f(t) \Longleftrightarrow F(j\omega)$,则$f(4-3t) $的傅立叶变换为 A: $\frac{1}{3} F(-j \frac{\omega}{3}) e^{-j \frac{4}{3} \omega}$ B: $3F(-j3\omega) e^{-j \frac{3}{4} \omega}$ C: $\frac{1}{3} F(j \frac{\omega}{3}) e^{-j \frac{4}{3} \omega}$ D: $3F(j3\omega) e^{-j \frac{3}{4} \omega}$
已知$f(t) \Longleftrightarrow F(j\omega)$,则$f(4-3t) $的傅立叶变换为 A: $\frac{1}{3} F(-j \frac{\omega}{3}) e^{-j \frac{4}{3} \omega}$ B: $3F(-j3\omega) e^{-j \frac{3}{4} \omega}$ C: $\frac{1}{3} F(j \frac{\omega}{3}) e^{-j \frac{4}{3} \omega}$ D: $3F(j3\omega) e^{-j \frac{3}{4} \omega}$
（4）唱片获得了动能多大？ A: $mR^{2}\omega^{2}/4$ B: $mR^{2}\omega^{2}/2$ C: $mR^{2}\omega^{2}$ D: $mR^{2}\omega^{2}/3$
（4）唱片获得了动能多大？ A: $mR^{2}\omega^{2}/4$ B: $mR^{2}\omega^{2}/2$ C: $mR^{2}\omega^{2}$ D: $mR^{2}\omega^{2}/3$
（接上题）（4）唱片获得了动能多大？ A: $mR^{2}\omega^{2}/4$ B: $mR^{2}\omega^{2}/2$ C: $mR^{2}\omega^{2}$ D: $mR^{2}\omega^{2}/3$
（接上题）（4）唱片获得了动能多大？ A: $mR^{2}\omega^{2}/4$ B: $mR^{2}\omega^{2}/2$ C: $mR^{2}\omega^{2}$ D: $mR^{2}\omega^{2}/3$
埋深大于( )的称为深基础。 A: 4 m B: 5 m C: 6 m D: 5.5 m
埋深大于( )的称为深基础。 A: 4 m B: 5 m C: 6 m D: 5.5 m
空芯线圈的电阻量应为（） A: 20.5 MΩ±7.5 MΩ B: 25.5 MΩ±8.5 MΩ C: 18.5 MΩ±5.5 MΩ D: 30.0 MΩ±9.5 MΩ
空芯线圈的电阻量应为（） A: 20.5 MΩ±7.5 MΩ B: 25.5 MΩ±8.5 MΩ C: 18.5 MΩ±5.5 MΩ D: 30.0 MΩ±9.5 MΩ
最大值为______ $\Omega$。
最大值为______ $\Omega$。
D群沙门菌，革兰阴性短杆菌，宽（） A: 1～3.5μm B: 2～4.5μm C: 3～5.5μm D: 0.5～0.8μm
D群沙门菌，革兰阴性短杆菌，宽（） A: 1～3.5μm B: 2～4.5μm C: 3～5.5μm D: 0.5～0.8μm
D群沙门菌，革兰阴性短杆菌，长（） A: 1～3.5μm B: 2～4.5μm C: 3～5.5μm D: 4～6.5μm
D群沙门菌，革兰阴性短杆菌，长（） A: 1～3.5μm B: 2～4.5μm C: 3～5.5μm D: 4～6.5μm
偏心因子的定义式（ ） A: [img=166x25]1802e152dc71db3.png[/img] B: \omega =-lg(P^s_r)_{T_r=0.8}-1 C: \omega =-lg(P^s_r)_{T_r=0.7}-2 D: \omega =-lg(P^s_r)_{T_r=0.7}
偏心因子的定义式（ ） A: [img=166x25]1802e152dc71db3.png[/img] B: \omega =-lg(P^s_r)_{T_r=0.8}-1 C: \omega =-lg(P^s_r)_{T_r=0.7}-2 D: \omega =-lg(P^s_r)_{T_r=0.7}
能达到金-瓷最大结合强度氧化膜的厚度为 （） A: 0.2～2μm B: 2.5～3μm C: 3.5～4μm D: 4.5～5μm E: 5.5～6μm
能达到金-瓷最大结合强度氧化膜的厚度为 （） A: 0.2～2μm B: 2.5～3μm C: 3.5～4μm D: 4.5～5μm E: 5.5～6μm