华氏温度为122°F，换算为摄氏温度（）℃。 A: 45 B: 50 C: 33.4 D: 56.4
华氏温度为122°F，换算为摄氏温度（）℃。 A: 45 B: 50 C: 33.4 D: 56.4
2010年山东秋粮产量占总粮食产量的比重为： A: 52．5% B: 47．5% C: 56．4% D: 46．3%
2010年山东秋粮产量占总粮食产量的比重为： A: 52．5% B: 47．5% C: 56．4% D: 46．3%
具有电容滤波器的单相半波整流电路，若变压器副边电压有效值U＝20V，则二极管承受的最高反向电压为（）。 A: 20V B: 28.2V C: 40V D: 56.4V
具有电容滤波器的单相半波整流电路，若变压器副边电压有效值U＝20V，则二极管承受的最高反向电压为（）。 A: 20V B: 28.2V C: 40V D: 56.4V
具有电容滤波器的单相波整流电路，若变压器副边电压有效值U=20V，则二极管承受的最高反向电压为()。 A: 20V B: 28.2V C: 40V D: 56.4V
具有电容滤波器的单相波整流电路，若变压器副边电压有效值U=20V，则二极管承受的最高反向电压为()。 A: 20V B: 28.2V C: 40V D: 56.4V
具有电容滤波器的单相半波整流电路,若变压器副边电压有效值U<br/>= 20V,则二极管承受的最高反向电压为()。 A: 20V B: 28.2V C: 40V D: 56.4V
具有电容滤波器的单相半波整流电路,若变压器副边电压有效值U<br/>= 20V,则二极管承受的最高反向电压为()。 A: 20V B: 28.2V C: 40V D: 56.4V
图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V
已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V