一电子(静止质量为[img=104x26]1802d09a7dbc9fd.png[/img])被限制在宽度为[img=10x14]1802d09a864118f.png[/img]的一维无限深方势阱(在[img=77x19]1802d09a8f56e1f.png[/img]范围内，势能函数[img=36x19]1802d09a9756d0d.png[/img])中，其基态能量为5.00 eV，则其第一激发态的能量为 A: 1.25 eV B: 2.50 eV C: 10.0 eV D: 15.0 eV E: 20.0 eV
一电子(静止质量为[img=104x26]1802d09a7dbc9fd.png[/img])被限制在宽度为[img=10x14]1802d09a864118f.png[/img]的一维无限深方势阱(在[img=77x19]1802d09a8f56e1f.png[/img]范围内，势能函数[img=36x19]1802d09a9756d0d.png[/img])中，其基态能量为5.00 eV，则其第一激发态的能量为 A: 1.25 eV B: 2.50 eV C: 10.0 eV D: 15.0 eV E: 20.0 eV
氢原子基态的电离能为 A: -11.6 eV B: 3.4 eV C: 13.6 eV D: 9.35 eV
氢原子基态的电离能为 A: -11.6 eV B: 3.4 eV C: 13.6 eV D: 9.35 eV
如果氢原子的电离能是13.6 eV， 则Li2+ 的电离能为 （ ） A: 13.6 eV B: 27.2 eV C: 54.4 eV D: 122.4 eV
如果氢原子的电离能是13.6 eV， 则Li2+ 的电离能为 （ ） A: 13.6 eV B: 27.2 eV C: 54.4 eV D: 122.4 eV
如果氢原子的电离能为13.6 ev ,则He+的电离能应为 : A: 13.6 ev B: 6.8 ev C: 54.4 ev D: 79.0 ev
如果氢原子的电离能为13.6 ev ,则He+的电离能应为 : A: 13.6 ev B: 6.8 ev C: 54.4 ev D: 79.0 ev
在气体放电管中，用能量为12.09 eV的电子去轰击处于基态的氢原子，此时氢原子所能发射的光子的能量只能是［ ］。 A: 12.09 eV B: 10.2 eV C: 12.09 eV，10.2 eV和 1.89 eV D: 12.09 eV，10.2 eV和 3.4 eV
在气体放电管中，用能量为12.09 eV的电子去轰击处于基态的氢原子，此时氢原子所能发射的光子的能量只能是［ ］。 A: 12.09 eV B: 10.2 eV C: 12.09 eV，10.2 eV和 1.89 eV D: 12.09 eV，10.2 eV和 3.4 eV
本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV
本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV
如果氢原子的电离能为13.6 eV ，则[img=34x21]17de80b03beced9.png[/img]的电离能应为 A: 13.6 eV B: 6.8 eV C: 54.4 eV D: 79.0 eV
如果氢原子的电离能为13.6 eV ，则[img=34x21]17de80b03beced9.png[/img]的电离能应为 A: 13.6 eV B: 6.8 eV C: 54.4 eV D: 79.0 eV
当入射光能量为1300 eV，逸出材料表面的电子动能测得为550 eV，功函数为5 eV，则该被激发电子的结合能为 ( ) A: 1850 eV B: 1845 eV C: 755 eV D: 745 eV
当入射光能量为1300 eV，逸出材料表面的电子动能测得为550 eV，功函数为5 eV，则该被激发电子的结合能为 ( ) A: 1850 eV B: 1845 eV C: 755 eV D: 745 eV
半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV
室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV