关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-04 室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV 室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。A: 0.15 eVB: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV 答案： 查看 举一反三 半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV 本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV 2. 硅的禁带宽度是 ______ eV，锗的禁带宽度 ______ eV。 常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。 A: 1.12 B: 2.14 C: 1.42 D: 0.92 硅材料的禁带宽度为( )eV。 A: 0.7 B: 1.4 C: 2.6 D: 1.12
