一段加氢内循环的一般比例要求为(内循环量/新鲜进料量)()。 A: 1/3(wt) B: 0.5(wt) C: 1(wt) D: 3(wt)
一段加氢内循环的一般比例要求为(内循环量/新鲜进料量)()。 A: 1/3(wt) B: 0.5(wt) C: 1(wt) D: 3(wt)
一段加氢内循环的一般比例要求为(内循环量/新鲜进料量)()。 A: A1/3(wt) B: B0.5(wt) C: C1(wt) D: D3(wt)
一段加氢内循环的一般比例要求为(内循环量/新鲜进料量)()。 A: A1/3(wt) B: B0.5(wt) C: C1(wt) D: D3(wt)
已知电路中电压u=10+8sinwt+4√2sin(3wt+120°)+4√2sin(3wt—120°)+5cos5wtV,电流i=6sin(wt—60°)+5√2sin(3wt+120°)+2sin(5wt+120°)A,则电路消耗的有功功率为P=() A: 26.3W B: 34.5W C: 0W D: 54.5W
已知电路中电压u=10+8sinwt+4√2sin(3wt+120°)+4√2sin(3wt—120°)+5cos5wtV,电流i=6sin(wt—60°)+5√2sin(3wt+120°)+2sin(5wt+120°)A,则电路消耗的有功功率为P=() A: 26.3W B: 34.5W C: 0W D: 54.5W
DEA溶液的组成() A: DEA25%(WT)HO75%(WT) B: DEA30%(WT)HO70%(WT)
DEA溶液的组成() A: DEA25%(WT)HO75%(WT) B: DEA30%(WT)HO70%(WT)
设直径为d、D的两个实心圆截面,其惯性矩分别为IP(d)和IP(D)、抗扭截面模量分别为Wt(d)和Wt(D)。则内、外径分别为d、D的空心圆截面的极惯性矩IP和抗扭截面模量Wt分别为 A: IP = IP(D) - IP(d); Wt ≠ Wt(D) - Wt(d) B: IP ≠ IP(D) - IP(d); Wt ≠ Wt(D) - Wt(d) C: IP = IP(D) - IP(d); Wt = Wt(D) - Wt(d) D: IP ≠ IP(D) - IP(d); Wt = Wt(D) - Wt(d)
设直径为d、D的两个实心圆截面,其惯性矩分别为IP(d)和IP(D)、抗扭截面模量分别为Wt(d)和Wt(D)。则内、外径分别为d、D的空心圆截面的极惯性矩IP和抗扭截面模量Wt分别为 A: IP = IP(D) - IP(d); Wt ≠ Wt(D) - Wt(d) B: IP ≠ IP(D) - IP(d); Wt ≠ Wt(D) - Wt(d) C: IP = IP(D) - IP(d); Wt = Wt(D) - Wt(d) D: IP ≠ IP(D) - IP(d); Wt = Wt(D) - Wt(d)
配重用河砂对泥量的要求()。 A: ≥0.5%(Wt%) B: ≥0.6%(Wt%) C: ≤0.5%(Wt%) D: ≤0.6%(Wt%)
配重用河砂对泥量的要求()。 A: ≥0.5%(Wt%) B: ≥0.6%(Wt%) C: ≤0.5%(Wt%) D: ≤0.6%(Wt%)
裂解原料中砷含量太高会引起乙炔、丙炔、汽油加氢催化剂中毒,因此原料砷含量>()时要进行脱砷。 A: 5×10(wt/wt) B: 10×10(wt/wt) C: 20×10(wt/wt)
裂解原料中砷含量太高会引起乙炔、丙炔、汽油加氢催化剂中毒,因此原料砷含量>()时要进行脱砷。 A: 5×10(wt/wt) B: 10×10(wt/wt) C: 20×10(wt/wt)
理想气体可逆定温过程的特点是() A: q=0 B: Wt=W C: Wt>W D: Wt
理想气体可逆定温过程的特点是() A: q=0 B: Wt=W C: Wt>W D: Wt
设空心圆轴的内径为d,外径为D,d/D=α,则其横截面的极惯性矩Ip和抗扭截面模量Wt的表达式为. A: Ip=1/64πD4(1-α4), Wt=1/32πD3(1-α3). B: Ip=1/32πD4(1-α4), Wt=1/16πD3(1-α3). C: Ip=1/32πD4(1-α4), Wt=1/16πD3(1-α4). D: Ip=1/32π(D4-d4), Wt=1/16π(D3-d3).
设空心圆轴的内径为d,外径为D,d/D=α,则其横截面的极惯性矩Ip和抗扭截面模量Wt的表达式为. A: Ip=1/64πD4(1-α4), Wt=1/32πD3(1-α3). B: Ip=1/32πD4(1-α4), Wt=1/16πD3(1-α3). C: Ip=1/32πD4(1-α4), Wt=1/16πD3(1-α4). D: Ip=1/32π(D4-d4), Wt=1/16π(D3-d3).
预聚合物测量后的记录有APS,%wt<1000μm,%wt<125μm,%wt<80μm。
预聚合物测量后的记录有APS,%wt<1000μm,%wt<125μm,%wt<80μm。