原料CO2气体中含有CO()。 A: 0.3%(V) B: 0.2%(V) C: 0.4%(V)
原料CO2气体中含有CO()。 A: 0.3%(V) B: 0.2%(V) C: 0.4%(V)
硅材料二极管的导通电压是( ) A: 0.1~0.2V B: 0.1 ~0.3 V C: 0.3 ~0.5 V D: 0.6~0.8V
硅材料二极管的导通电压是( ) A: 0.1~0.2V B: 0.1 ~0.3 V C: 0.3 ~0.5 V D: 0.6~0.8V
下列二极管正向压降正确的是( ) A: 硅管为0.7 V B: 锗管为0.7 V C: 锗管为0.3 V D: 硅管为0.3 V
下列二极管正向压降正确的是( ) A: 硅管为0.7 V B: 锗管为0.7 V C: 锗管为0.3 V D: 硅管为0.3 V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
二极管的正向导通电压一般是硅管为0.7V,锗管为0.3V.
二极管的正向导通电压一般是硅管为0.7V,锗管为0.3V.
TTL与非门输入端的电压超过 V时,输出端将跳变为低电平。 A: 0.7 V B: 1.4 V C: 0.3 V D: 2.1V
TTL与非门输入端的电压超过 V时,输出端将跳变为低电平。 A: 0.7 V B: 1.4 V C: 0.3 V D: 2.1V
锗二极管的死区电压为( )V。 A: 0.5 B: 0.2 C: 0.3
锗二极管的死区电压为( )V。 A: 0.5 B: 0.2 C: 0.3
晶体管(硅管)的Ube为 V。 A: 0.15 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
晶体管(硅管)的Ube为 V。 A: 0.15 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
硅二极管的死区电压约为( )V。 A: 0.3 B: 0.4 C: 0.5 D: 0.7
硅二极管的死区电压约为( )V。 A: 0.3 B: 0.4 C: 0.5 D: 0.7
硅晶体管的死区电压约为V() A: 0.2 B: 0.3 C: 0.4 D: 0.5
硅晶体管的死区电压约为V() A: 0.2 B: 0.3 C: 0.4 D: 0.5