智慧职教: （新）5.1.9 持续推进“三去一降一补”，其中“三去”指的是（ ）

在图T5.1.9所示电路中，低通电路是 ，高通电路是 ；电路(a)在f= 时Vo/ Vi 趋于1，在f= 时Vo/ Vi趋于零；电路(b)在f= 时Vo/ Vi 趋于1，在f= 时Vo/ Vi趋于零。http://edu-image.nosdn.127.net/B1B90F8E40FC28344793DCDE05EB65E8.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100http://edu-image.nosdn.127.net/501D4C24D23564E3FF436DF2563891C0.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100 （a） (b） 图T5.1.9

（新）5.1.9持续推进“三去一降一补”，其中“三去”指的是（） A: 去成本 B: 去产能 C: 去库存 D: 去存量 E: 去杠杆

根据GB50054-2011《低压配电设计规范》，间接接触防护措施包括。（GB50054-2011，5.1.9）（） A: AⅡ类设备 B: B电气分隔措施 C: C特低电压供电 D: D等电位联结

求解常微分方程组<img src="http://img1.ph.126.net/B8qMozAYz7oEzmWV3LBSvg==/6597340246519736485.png" />, 应用的语句是? DSolve[{x'[t]+y[t]==Cos[t],y'[t]+x[t]==Sin[t]},{x,y},t]|DSolve[{x'[t]+y[t]==Cos[t],y'[t]+x[t]==Sin[t]},x[t],y[t],t]|DSolve[{x'[t]+y[t]==Cos[t],y'[t]+x[t]==Sin[t]},{x[t],y[t]},t]|DSolve[x'[t]+y[t]=Cos[t],y'[t]+x[t]=Sin[t],{x[t],y[t]},t]

下述真值表表示的命题是。 Input Output p q r T T T T T T F F T F T T T F F T F T T T F T F T F F T T F F F T

图示系统的微分方程为（ ）[img=808x247]17de73b60010c18.png[/img] A: y''(t)+3y'(t)+2y(t)=4f'(t)+f(t) B: y''(t)+2y'(t)+3y(t)=4f'(t)+f(t) C: 4y'(t)+y(t)=f''(t)+3f'(t)+2f(t) D: y''(t)+3y'(t)+2y(t)=f'(t)+4f(t)

求微分方程[img=261x61]17da6536c0cca5d.png[/img]的通解； （ ） A: C18*cos(t) - C20*sin(t) - C19*t*cos(t) - C21*t*sin(t) B: C18*cos(t) + C20*sin(t) - C19*t*cos(t) - C21*t*sin(t) C: C18*cos(t) + C20*sin(t) + C19*t*cos(t) + C21*t*sin(t) D: -C18*cos(t) + C20*sin(t) + C19*t*cos(t) + C21*t*sin(t)

在t检验中，α水平上的否定域是： A: （－∞，tα]和[tα，＋∞） B: (- tα,＋tα) C: （－∞，tα]和(- tα,＋tα) D: [tα，＋∞）和(- tα,＋tα)

在（）温度范围内，玻璃态聚合物才具有典型的应力-应变曲线。 A: T﹤T﹤T B: T﹤T﹤T﹤T C: T﹤T﹤T﹤T