IGBT相当于在电力MOSFET结构基础上增加了一个（）。 A: N-漂移区 B: P+注入区 C: 高掺杂的P型注入区 D: N+漂移区
IGBT相当于在电力MOSFET结构基础上增加了一个（）。 A: N-漂移区 B: P+注入区 C: 高掺杂的P型注入区 D: N+漂移区
pn结空间电荷区又称为（ ）。 A: 扩散区 B: 耗尽区 C: 中性区 D: 漂移区
pn结空间电荷区又称为（ ）。 A: 扩散区 B: 耗尽区 C: 中性区 D: 漂移区
PN结的形成过程可以简述如下： A: 多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡 B: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡 C: 少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡 D: 少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
PN结的形成过程可以简述如下： A: 多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡 B: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡 C: 少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡 D: 少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
PN结的形成过程可以简述如下:() A: 多子扩散,空间电荷区出现,少子漂移,达到动态平衡 B: 少子漂移,多子扩散,空间电荷区出现,达到动态平衡 C: 多子扩散,少子漂移,空间电荷区出现,达到动态平衡 D: 少子漂移,空间电荷区出现,多子扩散,达到动态平衡
PN结的形成过程可以简述如下:() A: 多子扩散,空间电荷区出现,少子漂移,达到动态平衡 B: 少子漂移,多子扩散,空间电荷区出现,达到动态平衡 C: 多子扩散,少子漂移,空间电荷区出现,达到动态平衡 D: 少子漂移,空间电荷区出现,多子扩散,达到动态平衡
太阳能电池短路状态时，在耗尽区内的光生载流子受内建电场影响而分离，电子向P区漂移，空穴向N区漂移，产生由P区流向N区的漂移电流。
太阳能电池短路状态时，在耗尽区内的光生载流子受内建电场影响而分离，电子向P区漂移，空穴向N区漂移，产生由P区流向N区的漂移电流。
漂移运动方向是从N区到P区（ ）；</p></p>
漂移运动方向是从N区到P区（ ）；</p></p>
漂移运动方向是从N区到P区（ ）； A: Yes B: No
漂移运动方向是从N区到P区（ ）； A: Yes B: No
PN结中漂移电流方向是从N区到P区。
PN结中漂移电流方向是从N区到P区。
PN结内空间电荷区没有漂移电流存在。 （ ）
PN结内空间电荷区没有漂移电流存在。 （ ）
PN结加上正偏电压时,下列说法正确的是( )。 A: 空间电荷区变窄,加剧了漂移运动 B: 空间电荷区变宽,减弱了漂移运动 C: 空间电荷区变窄,加剧了扩散运动 D: 空间电荷区变宽,减弱了扩散运动
PN结加上正偏电压时,下列说法正确的是( )。 A: 空间电荷区变窄,加剧了漂移运动 B: 空间电荷区变宽,减弱了漂移运动 C: 空间电荷区变窄,加剧了扩散运动 D: 空间电荷区变宽,减弱了扩散运动