如图,四边形EFGH是由四边形ABCD平移得到的,已知AD=5,∠B=70°,则() A: FG=5,∠G=70° B: EH=5,∠F=70° C: EF=5,∠F=70° D: EF=5,∠E=70°
如图,四边形EFGH是由四边形ABCD平移得到的,已知AD=5,∠B=70°,则() A: FG=5,∠G=70° B: EH=5,∠F=70° C: EF=5,∠F=70° D: EF=5,∠E=70°
如图,已知L1∥L2,∠BAE=30°,∠BCD=70°,则∠DEC= A: 90° B: 80° C: 70° D: 60°
如图,已知L1∥L2,∠BAE=30°,∠BCD=70°,则∠DEC= A: 90° B: 80° C: 70° D: 60°
芯片在实际工作状态中,温度甚至可以达到400K,这时MOSFET器件的亚阈值摆幅最小可以是( ) A: 45 mV/dec B: 60 mV/dec C: 70 mV/dec D: 80 mV/dec
芯片在实际工作状态中,温度甚至可以达到400K,这时MOSFET器件的亚阈值摆幅最小可以是( ) A: 45 mV/dec B: 60 mV/dec C: 70 mV/dec D: 80 mV/dec
The fourth World Internet Conference took place in the East China town of Wuzhen from Dec 3 to Dec 5, 2017.
The fourth World Internet Conference took place in the East China town of Wuzhen from Dec 3 to Dec 5, 2017.
有出没的天体其赤纬Dec应满足 。 A: Dec>90°-ψ B: Dec<90°-ψ C: Dec=90°-ψ D: Dec≥90°-ψ
有出没的天体其赤纬Dec应满足 。 A: Dec>90°-ψ B: Dec<90°-ψ C: Dec=90°-ψ D: Dec≥90°-ψ
有出没的天体其赤纬Dec应满足( )。3 A: Dec>;90°-φ B: Dec <;90°-φ C: Dec=90°-φ D: Dec≧90°-φ
有出没的天体其赤纬Dec应满足( )。3 A: Dec>;90°-φ B: Dec <;90°-φ C: Dec=90°-φ D: Dec≧90°-φ
天体在周日视运动中,永不升出的条件是(Dec为天体赤纬,φ为测者纬度)()。 A: Dec<90°-φ,且Dec与φ同名 B: Dec≥90°-φ,且Dec与φ同名 C: Dec<90°-φ,且Dec与φ异名 D: Dec≥90°-φ,且Dec与φ异名
天体在周日视运动中,永不升出的条件是(Dec为天体赤纬,φ为测者纬度)()。 A: Dec<90°-φ,且Dec与φ同名 B: Dec≥90°-φ,且Dec与φ同名 C: Dec<90°-φ,且Dec与φ异名 D: Dec≥90°-φ,且Dec与φ异名
系统的开环传递函数为【图片】,开环对数幅频特性曲线中,低频段渐近线斜率为,高频段渐近线斜率为 A: -20dB/dec, -40dB/dec B: -20dB/dec, -60 dB/dec C: -40dB/dec, -60 dB/dec D: -40dB/dec, -80 dB/dec
系统的开环传递函数为【图片】,开环对数幅频特性曲线中,低频段渐近线斜率为,高频段渐近线斜率为 A: -20dB/dec, -40dB/dec B: -20dB/dec, -60 dB/dec C: -40dB/dec, -60 dB/dec D: -40dB/dec, -80 dB/dec
下列命令执行后,输出的值为( )。>> f=@(n) sum(n.*(n+1));>> f(1:5) A: 30 B: 50 C: 70 D: 80
下列命令执行后,输出的值为( )。>> f=@(n) sum(n.*(n+1));>> f(1:5) A: 30 B: 50 C: 70 D: 80
绘制开环对数频率特性曲线的渐近线时,如果遇到一阶微分环节,斜率变化量为(),如果遇到一阶惯性环节,斜率变化量为()。 A: +20db/dec,+20db/dec B: +20db/dec,-20db/dec C: +20db/dec,-40db/dec D: +40db/dec,+20db/dec
绘制开环对数频率特性曲线的渐近线时,如果遇到一阶微分环节,斜率变化量为(),如果遇到一阶惯性环节,斜率变化量为()。 A: +20db/dec,+20db/dec B: +20db/dec,-20db/dec C: +20db/dec,-40db/dec D: +40db/dec,+20db/dec