下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是 A: VBE>0,VBE B: VBE<0,VBE C: VBE>0,VBE D: VBE<0,VBE>VCE
下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是 A: VBE>0,VBE B: VBE<0,VBE C: VBE>0,VBE D: VBE<0,VBE>VCE
.P型半导体中的多子为 ( )。 A: VBE>0,VBE<VCE时 B: VBE<0,VBE<VCE时 C: VBE>0,VBE>VCE时 D: VBE<0,VBE>VCE时
.P型半导体中的多子为 ( )。 A: VBE>0,VBE<VCE时 B: VBE<0,VBE<VCE时 C: VBE>0,VBE>VCE时 D: VBE<0,VBE>VCE时
下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是( )。 A: VBE>0, VBE<VCE B: VBE<0, VBE<VCE C: VBE>0,VBE>VCE D: VBE<0, VBE>VCE
下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是( )。 A: VBE>0, VBE<VCE B: VBE<0, VBE<VCE C: VBE>0,VBE>VCE D: VBE<0, VBE>VCE
下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是 。 A: VBE>;0,VBE<;VCE时 B: VBE<;0,VBE<;VCE时 C: VBE>;0,VBE>;VCE时 D: VBE<;0,VBE>;VCE时
下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是 。 A: VBE>;0,VBE<;VCE时 B: VBE<;0,VBE<;VCE时 C: VBE>;0,VBE>;VCE时 D: VBE<;0,VBE>;VCE时
下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是( )。 A: VBE>;0, VBE B: VBE<;0 VBEVCE>; C: VBE>;0,VBE>;VCE时 D: VBE<;0 VBE>;VCE时
下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是( )。 A: VBE>;0, VBE B: VBE<;0 VBEVCE>; C: VBE>;0,VBE>;VCE时 D: VBE<;0 VBE>;VCE时
1、下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是 。 A: A、VBE>;0,VBE<;VCE时 B: B、VBE<;0,VBE<;VCE时 C: C、VBE>;0,VBE>;VCE时 D: D、VBE<;0,VBE>;VCE时
1、下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是 。 A: A、VBE>;0,VBE<;VCE时 B: B、VBE<;0,VBE<;VCE时 C: C、VBE>;0,VBE>;VCE时 D: D、VBE<;0,VBE>;VCE时
温度减小时,将使晶体三极管参数发生如下变化 ( )。 A: VBE增大,β减小 B: VBE减小,β减小 C: VBE增大,β增大 D: VBE减小,β增大
温度减小时,将使晶体三极管参数发生如下变化 ( )。 A: VBE增大,β减小 B: VBE减小,β减小 C: VBE增大,β增大 D: VBE减小,β增大
温度减小时,将使晶体三极管参数发生如下变化() A: VBE 减小, β增加, ICBO 增加 B: VBE 减小, β减小, ICBO 减小 C: VBE 增加, β增加, ICBO 增加 D: VBE 增加, β减小, ICBO 减小
温度减小时,将使晶体三极管参数发生如下变化() A: VBE 减小, β增加, ICBO 增加 B: VBE 减小, β减小, ICBO 减小 C: VBE 增加, β增加, ICBO 增加 D: VBE 增加, β减小, ICBO 减小
测得四个NPN型硅三极管极间电压如下,则处于放大状态的三极管为() A: VBE=-8V,VCE=6V; B: VBE=0.7V,VCE=0.43V; C: VBE=0.7V,VCE=6V; D: VBE=0.7V,VCE=-2V;
测得四个NPN型硅三极管极间电压如下,则处于放大状态的三极管为() A: VBE=-8V,VCE=6V; B: VBE=0.7V,VCE=0.43V; C: VBE=0.7V,VCE=6V; D: VBE=0.7V,VCE=-2V;
青书学堂: (单选题) 当NPN型BJT的VCE > VBE且VBE >0.5V时,则BJT工作在( )。
青书学堂: (单选题) 当NPN型BJT的VCE > VBE且VBE >0.5V时,则BJT工作在( )。