下列地点中，符合东半球、北半球、低纬度三个条件的是（） A: 25ºW，5ºN B: 165ºE，5ºS C: 25ºE，15ºS D: 15ºW，25ºN
下列地点中，符合东半球、北半球、低纬度三个条件的是（） A: 25ºW，5ºN B: 165ºE，5ºS C: 25ºE，15ºS D: 15ºW，25ºN
电子元器件一般用的内热式电烙铁进行焊接（） A: 5～10 W B: 10～15 W C: 20～30 W
电子元器件一般用的内热式电烙铁进行焊接（） A: 5～10 W B: 10～15 W C: 20～30 W
在下图所示电路中，电压源产生的功率为（ ）W。[img=308x173]17da6b0245bba4e.png[/img] A: -5 B: -15 C: 15 D: 5
在下图所示电路中，电压源产生的功率为（ ）W。[img=308x173]17da6b0245bba4e.png[/img] A: -5 B: -15 C: 15 D: 5
在下图所示电路中，电压源产生的功率为（ ）W。[img=308x173]17869c9b1be5bfd.png[/img] A: -5 B: 15 C: 5 D: -15
在下图所示电路中，电压源产生的功率为（ ）W。[img=308x173]17869c9b1be5bfd.png[/img] A: -5 B: 15 C: 5 D: -15
14.图1.2.9所示电路中,电压源产生的功率为_______________W。图1.2.9题1.4.14电路图 A: 15 B: −15 C: 5 D: −5
14.图1.2.9所示电路中,电压源产生的功率为_______________W。图1.2.9题1.4.14电路图 A: 15 B: −15 C: 5 D: −5
17d602843d9fee7.png 图91示电路，端口N吸收功率为（ ）W。 A: 15 B: 10 C: 0 D: 5
17d602843d9fee7.png 图91示电路，端口N吸收功率为（ ）W。 A: 15 B: 10 C: 0 D: 5
已知A点的坐标（20，10，5），则A点到W面的距离为（）。 A: 20 B: 15 C: 10 D: 5
已知A点的坐标（20，10，5），则A点到W面的距离为（）。 A: 20 B: 15 C: 10 D: 5
Int W=5；w =2
Int W=5；w =2
【单选题】int w = 0; void fun() { w++; printf("w = %d ", w); } main() { int w = 5; w++; printf("w = %d ", w); fun(); printf("w = %d ", w); } A. w=1 w=1 w=6 B. w=6 w=0 w=6 C. w=6 w=1 w=6 D. w=5 w=1 w=6
【单选题】int w = 0; void fun() { w++; printf("w = %d ", w); } main() { int w = 5; w++; printf("w = %d ", w); fun(); printf("w = %d ", w); } A. w=1 w=1 w=6 B. w=6 w=0 w=6 C. w=6 w=1 w=6 D. w=5 w=1 w=6
执行以下程序段后，w 的值为（）。int w='A', x=14, y=15;w=((x || y)&&(w
执行以下程序段后，w 的值为（）。int w='A', x=14, y=15;w=((x || y)&&(w