崩解时限检查法应将温度控制在（） A: 37℃±1℃ B: 37℃±0.5℃ C: 36℃±1℃ D: 36℃±0.5℃ E: 38℃±1℃
崩解时限检查法应将温度控制在（） A: 37℃±1℃ B: 37℃±0.5℃ C: 36℃±1℃ D: 36℃±0.5℃ E: 38℃±1℃
Bq和Ci均为放射性活度单位，它们之间的关系为（） A: 1 Bq=3.7×1010Ci B: 1 Bq=3.7×1010mCi C: 1Ci =37 MBq D: 1 mCi =37 MBq E: 1 MBq=37 mCi
Bq和Ci均为放射性活度单位，它们之间的关系为（） A: 1 Bq=3.7×1010Ci B: 1 Bq=3.7×1010mCi C: 1Ci =37 MBq D: 1 mCi =37 MBq E: 1 MBq=37 mCi
食品中霉菌酵母菌菌落测定常用的培养条件是 A: 37℃±1℃， 3d B: 28℃±1℃，3d C: 37℃±1℃， 5d D: 28℃±1℃，5d
食品中霉菌酵母菌菌落测定常用的培养条件是 A: 37℃±1℃， 3d B: 28℃±1℃，3d C: 37℃±1℃， 5d D: 28℃±1℃，5d
公文页边距与版心。天头（上白边）为（） A: 37㎜±1㎜ B: 37㎜±2㎜ C: 36㎜±1㎜ D: 36㎜±2㎜
公文页边距与版心。天头（上白边）为（） A: 37㎜±1㎜ B: 37㎜±2㎜ C: 36㎜±1㎜ D: 36㎜±2㎜
菌落总数测定培养时间为和温度为（ ） A: 36℃±1℃,48h±2h B: 36℃±1℃,24h±2h C: 37℃±1℃,48h±2h D: 37℃±1℃,24h±2h
菌落总数测定培养时间为和温度为（ ） A: 36℃±1℃,48h±2h B: 36℃±1℃,24h±2h C: 37℃±1℃,48h±2h D: 37℃±1℃,24h±2h
1/2，1/6，1/12，1/20，1/30， A: 1/40 B: 1/37 C: 1/31 D: 1/42
1/2，1/6，1/12，1/20，1/30， A: 1/40 B: 1/37 C: 1/31 D: 1/42
ZD6减速器的减速比为（）。 A: 25：1 B: 37：1 C: 41：1 D: 42：1
ZD6减速器的减速比为（）。 A: 25：1 B: 37：1 C: 41：1 D: 42：1
1 57已知电路如图1 37 所示 R 2002 PRI 50W Prz 200W 试求1 h和1
1 57已知电路如图1 37 所示 R 2002 PRI 50W Prz 200W 试求1 h和1
片剂崩解时限的检查操作中，介质的温度应控制为（ ） A: 室温 B: （37±0.5）℃ C: 30 D: （37±1）℃
片剂崩解时限的检查操作中，介质的温度应控制为（ ） A: 室温 B: （37±0.5）℃ C: 30 D: （37±1）℃
测定空气细菌总数时，培养温度是 A: (25±1)℃ B: (28±1)℃ C: (35±1)℃ D: (36±1)℃ E: (37±1)℃
测定空气细菌总数时，培养温度是 A: (25±1)℃ B: (28±1)℃ C: (35±1)℃ D: (36±1)℃ E: (37±1)℃