普通型硅光电池的峰值波长为（）。 A: 0.8m B: 8mm C: 0.8μm D: 0.8nm
普通型硅光电池的峰值波长为（）。 A: 0.8m B: 8mm C: 0.8μm D: 0.8nm
碳纳米管一般直径为( )。 A: 0.8~1.4 nn B: 0.8~1.4 nm C: 0.8~1.4 μm D: 0.8~1.4 mm
碳纳米管一般直径为( )。 A: 0.8~1.4 nn B: 0.8~1.4 nm C: 0.8~1.4 μm D: 0.8~1.4 mm
扫描电子显微镜主要用于表面形貌的观察，在失效分析工作中具有非常重要的作用。它的分辨率高，可达（）nm。 A: 0.1～0.2nm B: 0.5～0.8nm C: 3～4nm D: 10～20nm
扫描电子显微镜主要用于表面形貌的观察，在失效分析工作中具有非常重要的作用。它的分辨率高，可达（）nm。 A: 0.1～0.2nm B: 0.5～0.8nm C: 3～4nm D: 10～20nm
扫描电子显微镜主要用于表面形貌的观察，在失效分析工作中具有非常重要的作用。它的分辨率高，可达（）nm。 A: A0.1～0.2nm B: B0.5～0.8nm C: C3～4nm D: D10～20nm
扫描电子显微镜主要用于表面形貌的观察，在失效分析工作中具有非常重要的作用。它的分辨率高，可达（）nm。 A: A0.1～0.2nm B: B0.5～0.8nm C: C3～4nm D: D10～20nm
CWDM系统使用的业务波长间隔是（）nm A: 0.4 B: 0.8, C: 20, D: $50
CWDM系统使用的业务波长间隔是（）nm A: 0.4 B: 0.8, C: 20, D: $50
在160波波分系统中，波长间隔大约为（） A: 0.8nm B: 1.6nm
在160波波分系统中，波长间隔大约为（） A: 0.8nm B: 1.6nm
CWDM设备的通道间隔为（） A: 0.8nm B: 20nm C: 40nm D: 80nm
CWDM设备的通道间隔为（） A: 0.8nm B: 20nm C: 40nm D: 80nm
CWDM设备的通道间隔为： A: 0.4nm B: 0.8nm C: 20nm D: 10nm
CWDM设备的通道间隔为： A: 0.4nm B: 0.8nm C: 20nm D: 10nm
表面粗糙度参数为轮廓算术平均偏差Ra0.8时，粗糙度值0.8的单位是( )。 A: μm B: mm C: cm D: nm
表面粗糙度参数为轮廓算术平均偏差Ra0.8时，粗糙度值0.8的单位是( )。 A: μm B: mm C: cm D: nm
可见光光谱的波长位于（ ）范围？ A: 390 nm~ 760 nm B: 390 nm~ 720 nm C: 390 nm~ 780 nm D: 380 nm~ 760 nm
可见光光谱的波长位于（ ）范围？ A: 390 nm~ 760 nm B: 390 nm~ 720 nm C: 390 nm~ 780 nm D: 380 nm~ 760 nm