下列推导正确的是 。 A: (1) F(x)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG B: (1)F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃x(F(x)→G(x)) (1)EG C: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃y(F(y)→G(x)) (1)EG D: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG
下列推导正确的是 。 A: (1) F(x)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG B: (1)F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃x(F(x)→G(x)) (1)EG C: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃y(F(y)→G(x)) (1)EG D: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3
下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3
【单选题】rev(c(1,3,2,6,7,8,8,1,1,0))的运行结果 ? A. [1] 0 1 1 1 2 3 6 7 8 8 B. [1] 1 3 2 6 7 8 8 1 1 0 C. [1] 0 1 1 8 8 7 6 2 3 1 D. [1] 8 8 7 6 3 2 1 1 1 0
【单选题】rev(c(1,3,2,6,7,8,8,1,1,0))的运行结果 ? A. [1] 0 1 1 1 2 3 6 7 8 8 B. [1] 1 3 2 6 7 8 8 1 1 0 C. [1] 0 1 1 8 8 7 6 2 3 1 D. [1] 8 8 7 6 3 2 1 1 1 0
发动机的主要参数显示在上ECAM的是：（）。 A: EP B: EG C: N1、F D: N3 E: EP F: EG G: N1、N2、FF H: EP I: EG J: N1、VIBN1、VIBN2 K: EP L: EG M: N1、N2、N3
发动机的主要参数显示在上ECAM的是：（）。 A: EP B: EG C: N1、F D: N3 E: EP F: EG G: N1、N2、FF H: EP I: EG J: N1、VIBN1、VIBN2 K: EP L: EG M: N1、N2、N3
已知x(n)={1, 2, 3}，y(n)={1, 2, 1}，则x(n)*y(n)=________。（下划线表示n=0） A: {1, 4, 8, 8, 3} B: {1, 4, 8, 8, 3} C: {1, 4, 8, 8, 3} D: {1, 4, 8, 8, 3}
已知x(n)={1, 2, 3}，y(n)={1, 2, 1}，则x(n)*y(n)=________。（下划线表示n=0） A: {1, 4, 8, 8, 3} B: {1, 4, 8, 8, 3} C: {1, 4, 8, 8, 3} D: {1, 4, 8, 8, 3}
8的因数有（ ）。 A: 1和8 B: 1、2和8 C: 1、2、4和8 D: 1
8的因数有（ ）。 A: 1和8 B: 1、2和8 C: 1、2、4和8 D: 1
中国大学MOOC:"Eg=Ev-Ec";
中国大学MOOC:"Eg=Ev-Ec";
Eg=Ev-Ec A: 正确 B: 错误
Eg=Ev-Ec A: 正确 B: 错误