晶闸管是四层的PNPN结构。(
晶闸管是四层的PNPN结构。(
GTO具有四层的PNPN结构。( )
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晶闸管是由PNPN四层半导体组成的,其中有三个()结。
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晶闸管是四层半导体结构() A: PN B: NP C: NPNP D: PNPN
晶闸管是四层半导体结构() A: PN B: NP C: NPNP D: PNPN
IGBT的结构中寄生的PNPN结构会导致擎住效应的发生。
IGBT的结构中寄生的PNPN结构会导致擎住效应的发生。
GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?
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晶闸管的半导体结构是一种( )的四层结构 A: NNPP B: NNPN C: PPNP D: PNPN
晶闸管的半导体结构是一种( )的四层结构 A: NNPP B: NNPN C: PPNP D: PNPN
IGBT的结构中寄生的PNPN结构会导致擎住效应的发生。 A: 正确 B: 错误
IGBT的结构中寄生的PNPN结构会导致擎住效应的发生。 A: 正确 B: 错误
晶闸管是 PNPN 四层半导体结构,它有 3 个极:( )。 A: 基极 B: 阳极 C: 阴极 D: 控制极 E: 发射极
晶闸管是 PNPN 四层半导体结构,它有 3 个极:( )。 A: 基极 B: 阳极 C: 阴极 D: 控制极 E: 发射极
晶闸管是一个由PNPN四层半导体构成的( )器件,其内部形成PN结。 A: 四端 B: 二端 C: 三端 D: 五端
晶闸管是一个由PNPN四层半导体构成的( )器件,其内部形成PN结。 A: 四端 B: 二端 C: 三端 D: 五端
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