• 2022-06-11 问题

    集成555电路在CO端不使用时,比较器Cl的基准电压为 , C2的基准电压为 A: 2UDD/3 B: UDD/3 C: UDD D: UDD/2

    集成555电路在CO端不使用时,比较器Cl的基准电压为 , C2的基准电压为 A: 2UDD/3 B: UDD/3 C: UDD D: UDD/2

  • 2022-07-29 问题

    在固定的UDD情况下,CMOS反相器噪声容限

    在固定的UDD情况下,CMOS反相器噪声容限

  • 2021-04-14 问题

    CMOS门电路输出端允许直接与电源UDD或与地相连

    CMOS门电路输出端允许直接与电源UDD或与地相连

  • 2022-06-05 问题

    非处方药的英文缩写() A: 0TC B: ADR C: EXP D: DID E: UDD

    非处方药的英文缩写() A: 0TC B: ADR C: EXP D: DID E: UDD

  • 2022-10-30 问题

    单元调剂的英文缩写是 A: DDD B: USB C: UDD D: OTC E: TDM

    单元调剂的英文缩写是 A: DDD B: USB C: UDD D: OTC E: TDM

  • 2022-07-22 问题

    由555定时器组成的多谐振荡器,欲使振荡频率增高,则可( )。 a.减小C b. 增大R1、R2 c.增大 UDD d.频率不可调 A: 减小C B: 增大R1、R2 C: 增大UDD D: 频率不可调

    由555定时器组成的多谐振荡器,欲使振荡频率增高,则可( )。 a.减小C b. 增大R1、R2 c.增大 UDD d.频率不可调 A: 减小C B: 增大R1、R2 C: 增大UDD D: 频率不可调

  • 2022-07-29 问题

    两个普通TTL门线与是 的。 A: 有条件 B: 可以 C: 不可以 D: 加一个UDD

    两个普通TTL门线与是 的。 A: 有条件 B: 可以 C: 不可以 D: 加一个UDD

  • 2022-07-29 问题

    在固定的UDD情况下,CMOS反相器噪声容限 。 A: UNL=UNH B: UNL>UNH C: UNL<UNH D: 根据条件确定

    在固定的UDD情况下,CMOS反相器噪声容限 。 A: UNL=UNH B: UNL>UNH C: UNL<UNH D: 根据条件确定

  • 2021-04-14 问题

    目前普遍认为,质子和中子都是由被称为u夸克和d夸克的两类夸克组成。u夸克带电量为e,d夸克带电量e,e为基元电荷。则质子和中子可分别描述为 A.uud和udd B. udd和uud C. uuu D. ddd400a5bdb69f78b16887c1173551f7f0b.png767a34f10b1279b8c7b44d207f6cdbba.png

    目前普遍认为,质子和中子都是由被称为u夸克和d夸克的两类夸克组成。u夸克带电量为e,d夸克带电量e,e为基元电荷。则质子和中子可分别描述为 A.uud和udd B. udd和uud C. uuu D. ddd400a5bdb69f78b16887c1173551f7f0b.png767a34f10b1279b8c7b44d207f6cdbba.png

  • 2022-06-03 问题

    考虑一个双风险模型,假设个终止时间的发生在每年内服从UDD假设,已知:[img=600x100]17d60e74bcac113.png[/img]。则[img=232x100]17d60e74ce9dc39.png[/img] =( ) A: 23.16 B: 19.21 C: 21.22 D: 20.63

    考虑一个双风险模型,假设个终止时间的发生在每年内服从UDD假设,已知:[img=600x100]17d60e74bcac113.png[/img]。则[img=232x100]17d60e74ce9dc39.png[/img] =( ) A: 23.16 B: 19.21 C: 21.22 D: 20.63

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