集成555电路在CO端不使用时，比较器Cl的基准电压为 ， C2的基准电压为 A: 2UDD/3 B: UDD/3 C: UDD D: UDD/2

在固定的UDD情况下，CMOS反相器噪声容限

CMOS门电路输出端允许直接与电源UDD或与地相连

非处方药的英文缩写（） A: 0TC B: ADR C: EXP D: DID E: UDD

单元调剂的英文缩写是 A: DDD B: USB C: UDD D: OTC E: TDM

由555定时器组成的多谐振荡器，欲使振荡频率增高，则可（ ）。 a.减小C b. 增大R1、R2 c.增大 UDD d.频率不可调 A: 减小C B: 增大R1、R2 C: 增大UDD D: 频率不可调

两个普通TTL门线与是 的。 A: 有条件 B: 可以 C: 不可以 D: 加一个UDD

在固定的UDD情况下，CMOS反相器噪声容限 。 A: UNL=UNH B: UNL>UNH C: UNL<UNH D: 根据条件确定

目前普遍认为，质子和中子都是由被称为u夸克和d夸克的两类夸克组成。u夸克带电量为e，d夸克带电量e，e为基元电荷。则质子和中子可分别描述为 A．uud和udd B. udd和uud C. uuu D. ddd400a5bdb69f78b16887c1173551f7f0b.png767a34f10b1279b8c7b44d207f6cdbba.png

考虑一个双风险模型，假设个终止时间的发生在每年内服从UDD假设，已知：[img=600x100]17d60e74bcac113.png[/img]。则[img=232x100]17d60e74ce9dc39.png[/img] =（ ） A: 23.16 B: 19.21 C: 21.22 D: 20.63