三极管根据内部结构不同分为()。 A: APLC型 B: BPNP型 C: CNPN型 D: DP型 E: EN型
三极管根据内部结构不同分为()。 A: APLC型 B: BPNP型 C: CNPN型 D: DP型 E: EN型
在本质半导体加入三价的硼,则成为()。 A: AN型 B: BP型 C: CNPN型 D: DPNP型
在本质半导体加入三价的硼,则成为()。 A: AN型 B: BP型 C: CNPN型 D: DPNP型
3DG4C表示() A: ANPN型硅材料高频小功率三极管; B: BPNP型硅材料高频小功率三极管; C: CNPN型锗材料高频大功率三极管; D: DPNP型锗材料低频小功率三极管
3DG4C表示() A: ANPN型硅材料高频小功率三极管; B: BPNP型硅材料高频小功率三极管; C: CNPN型锗材料高频大功率三极管; D: DPNP型锗材料低频小功率三极管
在OTL功率放大器中,两晶体三极管特性和参数相同并且一定是()。 A: ANPN管与NPN管 B: BPNP管与PNP管 C: CNPN管与PNP管 D: DNPN管或PNP管
在OTL功率放大器中,两晶体三极管特性和参数相同并且一定是()。 A: ANPN管与NPN管 B: BPNP管与PNP管 C: CNPN管与PNP管 D: DNPN管或PNP管
NPN、PNP三极管工作放大状态时,其发射结()。 A: A均加反向电压 B: B均加正向电压 C: CNPN管加正向电压,PNP管加反向电压 D: DNPN管加反向电压,PNP管加正向电压
NPN、PNP三极管工作放大状态时,其发射结()。 A: A均加反向电压 B: B均加正向电压 C: CNPN管加正向电压,PNP管加反向电压 D: DNPN管加反向电压,PNP管加正向电压
用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用红表笔接一个极,用黑表笔分别测量另两个极,测得的电阻都很小,则红表笔接的是()。 A: ANPN的发射极 B: BPNP的发射极 C: CNPN的基极 D: DPNP的基极
用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用红表笔接一个极,用黑表笔分别测量另两个极,测得的电阻都很小,则红表笔接的是()。 A: ANPN的发射极 B: BPNP的发射极 C: CNPN的基极 D: DPNP的基极
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