下列关于FusonStorage中MDC部署原则描述正确的是：（） A: 1个MDC最多处理2个资源池 B: 每台存储主机预留一个MDC进程的内存资源和CPU资源 C: 一个存储主机最多1个MDC进程，每套环境至少3个MDC进程 D: 机柜级（RAC）安全级别下，MDC必须跨机柜部署
下列关于FusonStorage中MDC部署原则描述正确的是：（） A: 1个MDC最多处理2个资源池 B: 每台存储主机预留一个MDC进程的内存资源和CPU资源 C: 一个存储主机最多1个MDC进程，每套环境至少3个MDC进程 D: 机柜级（RAC）安全级别下，MDC必须跨机柜部署
杭州地铁2、4号线列车车门控制模式分ADO/ADC,ADO/MDC和MDO/MDC三种（）
杭州地铁2、4号线列车车门控制模式分ADO/ADC,ADO/MDC和MDO/MDC三种（）
图示结构（E为常数），杆端弯矩（顺时针为正）正确的一组为（）。 A: MBC=MCB=-MCD=-MDC=Pl/4 B: MBC=-M[CB]=MCD=MDC=Pl/4 C: MBC=M[CB]=-MCD=MDC=Pl/4 D: MBC=-MCB=MCD=-MDC=Pl/4
图示结构（E为常数），杆端弯矩（顺时针为正）正确的一组为（）。 A: MBC=MCB=-MCD=-MDC=Pl/4 B: MBC=-M[CB]=MCD=MDC=Pl/4 C: MBC=M[CB]=-MCD=MDC=Pl/4 D: MBC=-MCB=MCD=-MDC=Pl/4
在模式下，列车车门ADO/ADC、ADO/MDC、MDO/MDC都可用（） A: RM B: IATP C: ATP D: ATO
在模式下，列车车门ADO/ADC、ADO/MDC、MDO/MDC都可用（） A: RM B: IATP C: ATP D: ATO
图示结构MDC（设下侧受拉为正）为： （）http://image.zhihui...9db5c5ba32f3fc9d.jpg
图示结构MDC（设下侧受拉为正）为： （）http://image.zhihui...9db5c5ba32f3fc9d.jpg
在图示结构，MDC（设下侧受拉为正）为2643a8b34b2af19daf96efd26ee307ff.png
在图示结构，MDC（设下侧受拉为正）为2643a8b34b2af19daf96efd26ee307ff.png
图示结构MDC（设下侧受拉为正）为： （ ）[img=397x449]17a411785f9d155.jpg[/img]
图示结构MDC（设下侧受拉为正）为： （ ）[img=397x449]17a411785f9d155.jpg[/img]
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。 A: B: Cl，尤其是K C: Na、Cl，尤其是Na D: E: Cl，尤其是Cl F: Ca、Cl，尤其是Ca G: Na、Cl，尤其是Cl
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。 A: B: Cl，尤其是K C: Na、Cl，尤其是Na D: E: Cl，尤其是Cl F: Ca、Cl，尤其是Ca G: Na、Cl，尤其是Cl
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位( ) A: K+、Cl–尤其是K+ B: Na+、Cl–尤其是Na+ C: K+、Cl–,尤其是Cl– D: Ca2+、Cl–,尤其是Ca2+ E: Na+、Cl–,尤其是Cl–
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位( ) A: K+、Cl–尤其是K+ B: Na+、Cl–尤其是Na+ C: K+、Cl–,尤其是Cl– D: Ca2+、Cl–,尤其是Ca2+ E: Na+、Cl–,尤其是Cl–
下列各化学键极性最大的是（）。 A: B—Cl B: Ba—Cl C: Be—Cl D: Br—Cl
下列各化学键极性最大的是（）。 A: B—Cl B: Ba—Cl C: Be—Cl D: Br—Cl