两相短路电流Ik(2)与三相短路电流Ik(3)之比值为()。 A: Ik(2)=√3Ik(3) B: Ik(2)=(√3/2)Ik(3) C: Ik(2)=(1/2)Ik(3) D: Ik(2)=Ik(3)
两相短路电流Ik(2)与三相短路电流Ik(3)之比值为()。 A: Ik(2)=√3Ik(3) B: Ik(2)=(√3/2)Ik(3) C: Ik(2)=(1/2)Ik(3) D: Ik(2)=Ik(3)
无限大容量系统中,两相短路电流与三相短路电流之间关系为。 A: Ik(2)/Ik(3)=sqrt(3)/2 B: Ik(2)/Ik(3)=2/sqrt(3) C: Ik(2)/Ik(3)=3/2 D: Ik(2)/Ik(3)=2/3
无限大容量系统中,两相短路电流与三相短路电流之间关系为。 A: Ik(2)/Ik(3)=sqrt(3)/2 B: Ik(2)/Ik(3)=2/sqrt(3) C: Ik(2)/Ik(3)=3/2 D: Ik(2)/Ik(3)=2/3
两相短路电流Ik(2)与三相短路电流Ik(3)之比值为Ik(2)=sqrt(3)Ik(3)。()
两相短路电流Ik(2)与三相短路电流Ik(3)之比值为Ik(2)=sqrt(3)Ik(3)。()
两相短路电流Ik(2)与三相短路电流Ik(3)之比值为()
两相短路电流Ik(2)与三相短路电流Ik(3)之比值为()
以下程序输出的是 ( )。#include void main( ){ int iK=11; printf(“iK=%d, iK=%o, iK=%x\n”, iK, iK, iK);} A: iK=11, iK=12, iK=11 B: iK=11, iK=13, iK=13 C: iK=11, iK=13, iK=0xb D: iK=11, iK=13, iK=b
以下程序输出的是 ( )。#include void main( ){ int iK=11; printf(“iK=%d, iK=%o, iK=%x\n”, iK, iK, iK);} A: iK=11, iK=12, iK=11 B: iK=11, iK=13, iK=13 C: iK=11, iK=13, iK=0xb D: iK=11, iK=13, iK=b
偶函数y=f(x)在(-∞,0)上单调递增,则有( ) A: f(-3)>f(π)>f(-3π) B: f(π)>f(-3)>f(-3π) C: f(-3π)>f(-3)>f(π) D: f(-3)>f(-3π)>f(π)
偶函数y=f(x)在(-∞,0)上单调递增,则有( ) A: f(-3)>f(π)>f(-3π) B: f(π)>f(-3)>f(-3π) C: f(-3π)>f(-3)>f(π) D: f(-3)>f(-3π)>f(π)
下列碳正离子的稳定性顺序是:( ) A: (1) > (2) > (3) > (4) B: (2) > (4) > (3) > (1) C: (1) > (3) > (2) > (4) D: (2) > (4) > (1) > (3)
下列碳正离子的稳定性顺序是:( ) A: (1) > (2) > (3) > (4) B: (2) > (4) > (3) > (1) C: (1) > (3) > (2) > (4) D: (2) > (4) > (1) > (3)
下面化合物的熔点高低次序是:( ) A: (1)>(3)>(2) B: (3)>(2)>(1) C: (1)>(2)>(3) D: (3)>(1)>(2)
下面化合物的熔点高低次序是:( ) A: (1)>(3)>(2) B: (3)>(2)>(1) C: (1)>(2)>(3) D: (3)>(1)>(2)
试证明:设是可测集,{Ik}是一列开区间且满足m(E∩Ik)≥2|Ik|/3(k∈N).若令,则m(E∩G)≥m(G)/3.
试证明:设是可测集,{Ik}是一列开区间且满足m(E∩Ik)≥2|Ik|/3(k∈N).若令,则m(E∩G)≥m(G)/3.
将下列化合物按极性大小排列顺序:(1)CH4 (2)CH3F (3)CH3Cl (4 )CH3Br (5)CH3I A: (1)>(2)>(3)>(4)>(5) B: (5)>(4)>(3)>(2)>(1) C: (2)>(3)>(4)>(5)>(1) D: (3)>(4)>(5)>(1)>(2)
将下列化合物按极性大小排列顺序:(1)CH4 (2)CH3F (3)CH3Cl (4 )CH3Br (5)CH3I A: (1)>(2)>(3)>(4)>(5) B: (5)>(4)>(3)>(2)>(1) C: (2)>(3)>(4)>(5)>(1) D: (3)>(4)>(5)>(1)>(2)