按照存取速度不同,存储器可以分为()。 A: ASRAM和DRAM B: BROM和RAM C: CMOS和TTL D: DTTL和STTL
按照存取速度不同,存储器可以分为()。 A: ASRAM和DRAM B: BROM和RAM C: CMOS和TTL D: DTTL和STTL
增量式旋转测量装置或直线测量装置的输出信号的形式有()。 A: A电压或电流正弦信号 B: B电平信号 C: C电压或电流余弦信号 D: DTTL电平信号
增量式旋转测量装置或直线测量装置的输出信号的形式有()。 A: A电压或电流正弦信号 B: B电平信号 C: C电压或电流余弦信号 D: DTTL电平信号
关于TTL电路与CMOS电路性能的比较,()说法是正确的。 A: ATTL电路输入端接高电平时有电流输入 B: BCMOS电路输入端接高电平时有电流输入 C: CCMOS电路输入端允许悬空,相当于输入高电平 D: DTTL电路输入端允许悬空,相当于输入高电平 E: ETTL电路输入端允许悬空,相当于输入低电平
关于TTL电路与CMOS电路性能的比较,()说法是正确的。 A: ATTL电路输入端接高电平时有电流输入 B: BCMOS电路输入端接高电平时有电流输入 C: CCMOS电路输入端允许悬空,相当于输入高电平 D: DTTL电路输入端允许悬空,相当于输入高电平 E: ETTL电路输入端允许悬空,相当于输入低电平
1