有以下程序#include void fun(char *a,char *b){ char *s=a; while(*s) s++; s--; while(s>=a) { *b=*s; s--; b++; } *b=’\0’;}main(){ char s1[]="abc",s2[6]; fun(s1,s2); puts(s2);}程序运行后的输出结果是 A: cbaabc B: abc C: cba D: abccba
有以下程序#include void fun(char *a,char *b){ char *s=a; while(*s) s++; s--; while(s>=a) { *b=*s; s--; b++; } *b=’\0’;}main(){ char s1[]="abc",s2[6]; fun(s1,s2); puts(s2);}程序运行后的输出结果是 A: cbaabc B: abc C: cba D: abccba
表示均匀磁场中磁感应强度意义的公式是: A: B=ΦB/S B: B=S/ΦB C: B=S*ΦB D: B=ΦB*S式中S--面积,ΦB--磁通
表示均匀磁场中磁感应强度意义的公式是: A: B=ΦB/S B: B=S/ΦB C: B=S*ΦB D: B=ΦB*S式中S--面积,ΦB--磁通
若执行下面的程序时，从键盘上输入3和4，则输出结果是。main( ){ inta,b,s;scanf("％d％d",&a,&b);s=a;if(a&&b) printf("％d＼n",s);else printf("％d＼n",s--);}
若执行下面的程序时，从键盘上输入3和4，则输出结果是。main( ){ inta,b,s;scanf("％d％d",&a,&b);s=a;if(a&&b) printf("％d＼n",s);else printf("％d＼n",s--);}
下列程序段不是死循环的是()。 A: inti=10;while(1){i=i-1;if(i>;10)break;} B: for(;;); C: ints=6;while(s)s--; D: intk=10;do{--k;}while(k<;10);
下列程序段不是死循环的是()。 A: inti=10;while(1){i=i-1;if(i>;10)break;} B: for(;;); C: ints=6;while(s)s--; D: intk=10;do{--k;}while(k<;10);
中国大学MOOC: 我们所需要寻找的s-->z的变换，必须满足什么约束？
中国大学MOOC: 我们所需要寻找的s-->z的变换，必须满足什么约束？
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。 A: 正确 B: 错误
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。 A: 正确 B: 错误
中国大学MOOC: N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
中国大学MOOC: N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。 A: 正确 B: 错误
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。 A: 正确 B: 错误
SMART原则是什么 A: S--明确性 B: M--可衡量性 C: A--可接受性 D: R--实际性 E: T--时限性
SMART原则是什么 A: S--明确性 B: M--可衡量性 C: A--可接受性 D: R--实际性 E: T--时限性