NPN型晶体管工作在放大状态,要求()。 A: Ube大于Uth，Ubc大于0 B: Ube大于Uth，Ubc小于0 C: Ube小于Uth，Ubc大于0 D: Ube小于Uth，Ubc小于0

假设三极管BE间的阈值电压UTH，写出晶体三极管处于截止状态时的条件： ；其中硅材料三极管UTH大约为 。

某场效应管的漏极饱和电流IDSS=4mA，夹断电压Uth=3V，则该管为 沟道 型MOS管。

CMOS反相器门电路的阈值电压UTH最接近于下面那个电压值（ ） A: 1/2UDD B: 1/3UDD C: 2/3UDD D: 3/4UDD

在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流Is≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组数据可能正确:( )

由555定时器构成的施密特触发器,电源电压6V,其⑤脚通过0.01uF电容接地,则其UTL和UTH分别为() A: 3V和6V B: 0V和6V C: 2V和4V D: -6V和6V