【单选题】int w = 0; void fun() { w++; printf("w = %d ", w); } main() { int w = 5; w++; printf("w = %d ", w); fun(); printf("w = %d ", w); } A. w=1 w=1 w=6 B. w=6 w=0 w=6 C. w=6 w=1 w=6 D. w=5 w=1 w=6
【单选题】int w = 0; void fun() { w++; printf("w = %d ", w); } main() { int w = 5; w++; printf("w = %d ", w); fun(); printf("w = %d ", w); } A. w=1 w=1 w=6 B. w=6 w=0 w=6 C. w=6 w=1 w=6 D. w=5 w=1 w=6
低合金钢中合金元素总含量是（）。 A: W合≤5% B: W合=5%-10% C: W合≥10% D: W合≤10%
低合金钢中合金元素总含量是（）。 A: W合≤5% B: W合=5%-10% C: W合≥10% D: W合≤10%
将2Ω与3Ω的两个电阻串联后,接在电压为10V的电源上,2Ω电阻上消耗的功率为( )。 A: 4W B: 6 W C: 8 W D: 10 W
将2Ω与3Ω的两个电阻串联后,接在电压为10V的电源上,2Ω电阻上消耗的功率为( )。 A: 4W B: 6 W C: 8 W D: 10 W
考虑背包问题：n=6，M=10，p(1:6)=(15,59,21,30,60,5)，W(1:6)=(1,5,2,3,6,1)。该问题的最大效益值为（）。 A: 101 B: 110 C: 115 D: 120
考虑背包问题：n=6，M=10，p(1:6)=(15,59,21,30,60,5)，W(1:6)=(1,5,2,3,6,1)。该问题的最大效益值为（）。 A: 101 B: 110 C: 115 D: 120
下图是低频功率放大器，最大输出功率近似为（）W。[img=529x234]1802ed5ce4a5e78.png[/img] A: 18 B: 9 C: 10 D: 6
下图是低频功率放大器，最大输出功率近似为（）W。[img=529x234]1802ed5ce4a5e78.png[/img] A: 18 B: 9 C: 10 D: 6
W／O型乳化剂的HLB值范围是()。 A: 2~6 B: 7~10 C: 12~15 D: 14~18
W／O型乳化剂的HLB值范围是()。 A: 2~6 B: 7~10 C: 12~15 D: 14~18
电子元器件一般用的内热式电烙铁进行焊接（） A: 5～10 W B: 10～15 W C: 20～30 W
电子元器件一般用的内热式电烙铁进行焊接（） A: 5～10 W B: 10～15 W C: 20～30 W
激光的功率密度可以高达( )W/cm[sup]2[/]。 A: 10<sup>3</sup>～10<sup>5</sup> B: 10<sup>6</sup>～10<sup>8</sup> C: 10<sup>8</sup>～10<sup>10</sup> D: 10<sup>10</sup>～10<sup>12</sup>
激光的功率密度可以高达( )W/cm[sup]2[/]。 A: 10<sup>3</sup>～10<sup>5</sup> B: 10<sup>6</sup>～10<sup>8</sup> C: 10<sup>8</sup>～10<sup>10</sup> D: 10<sup>10</sup>～10<sup>12</sup>
图示电路中，理想电压源[img=20x22]180315b436491fd.png[/img]供出的功率P为（ ）。[img=212x104]180315b44121830.png[/img] A: 6 W B: -6 W C: 18 W D: -18 W
图示电路中，理想电压源[img=20x22]180315b436491fd.png[/img]供出的功率P为（ ）。[img=212x104]180315b44121830.png[/img] A: 6 W B: -6 W C: 18 W D: -18 W
406 MHz EPIRB发射功率为____。（ ）。 A: 5 W B: 1 W C: 25 W D: 10 W
406 MHz EPIRB发射功率为____。（ ）。 A: 5 W B: 1 W C: 25 W D: 10 W