三极管参数为PCM=800mW, ICM=100mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（ ）属于正常工作
三极管参数为PCM=800mW, ICM=100mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（ ）属于正常工作
I FM ，UBR ，IR是发光二极管的电学参数；峰值波长，亮度，光通量是发光二极管的光学参数。
I FM ，UBR ，IR是发光二极管的电学参数；峰值波长，亮度，光通量是发光二极管的光学参数。
温度会对晶体管以下哪些参数产生影响？ A: β B: ICEO C: ICBO D: UBR(CEO) E: ICM F: UCM G: PCM
温度会对晶体管以下哪些参数产生影响？ A: β B: ICEO C: ICBO D: UBR(CEO) E: ICM F: UCM G: PCM
中国大学MOOC: 三极管参数为PCM=800 mW，ICM=100 mA，UBR(CEO)=30 V，在下列几种情况中，（ ）属于安全正常工作。
中国大学MOOC: 三极管参数为PCM=800 mW，ICM=100 mA，UBR(CEO)=30 V，在下列几种情况中，（ ）属于安全正常工作。
3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（ ）
3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（ ）
某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）
某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）
中国大学MOOC:如图电源+50V，发光二极管正向压降为+2.0V，反向击穿电压Ubr=-30V，请问电阻上的压降是（TP1对地电压）：http://edu-image.nosdn.127.net/C262B684484AB62C6170F2464272517D.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100
中国大学MOOC:如图电源+50V，发光二极管正向压降为+2.0V，反向击穿电压Ubr=-30V，请问电阻上的压降是（TP1对地电压）：http://edu-image.nosdn.127.net/C262B684484AB62C6170F2464272517D.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100
基于SDH的多业务传送节点对不同特性的ATM业务源应提供以下业务（）。 A: CBR业务 B: rt-VBR业务 C: nrt-VBR业务 D: UBR业务 E: VBR业务
基于SDH的多业务传送节点对不同特性的ATM业务源应提供以下业务（）。 A: CBR业务 B: rt-VBR业务 C: nrt-VBR业务 D: UBR业务 E: VBR业务
3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=30V，如果将它接在IC=15mA，UCE=20V的电路中，则该管（）。 A: 击穿 B: 工作正常 C: 功耗太大过热，甚至烧坏 D: 不确定
3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=30V，如果将它接在IC=15mA，UCE=20V的电路中，则该管（）。 A: 击穿 B: 工作正常 C: 功耗太大过热，甚至烧坏 D: 不确定
某三极管的Pcm= 100mW, ICM-=20 mA, UBR(ceo)=30 V,如果将它接在1c=15mA,Uce=20V的电路中,则该管( )。 A: 被击穿 B: 工作正常 C: 功耗太大过热甚至烧坏 D: 截止
某三极管的Pcm= 100mW, ICM-=20 mA, UBR(ceo)=30 V,如果将它接在1c=15mA,Uce=20V的电路中,则该管( )。 A: 被击穿 B: 工作正常 C: 功耗太大过热甚至烧坏 D: 截止