已知电极AgCl(s)+e=Ag(s)+Cl[img=11x15]17e4387e5554aa5.jpg[/img]在298.15K下的标准电极电势为φ[img=7x14]17e4362d85a2b66.jpg[/img](AgCl/Ag)=0.222V,当溶液中Cl[img=11x15]17e4387e5554aa5.jpg[/img]浓度为0.1 mol·L[img=11x15]17e4387e5554aa5.jpg[/img]1时,该电极的电极电势值为() v A: 0.222 B: 0.2812 C: 0.1628
已知电极AgCl(s)+e=Ag(s)+Cl[img=11x15]17e4387e5554aa5.jpg[/img]在298.15K下的标准电极电势为φ[img=7x14]17e4362d85a2b66.jpg[/img](AgCl/Ag)=0.222V,当溶液中Cl[img=11x15]17e4387e5554aa5.jpg[/img]浓度为0.1 mol·L[img=11x15]17e4387e5554aa5.jpg[/img]1时,该电极的电极电势值为() v A: 0.222 B: 0.2812 C: 0.1628
已知电极AgCl(s)+e=Ag(s)+Cl[img=11x15]17e0a6f6502786c.jpg[/img]在298.15K下的标准电极电势为φ[img=7x14]17e0a6de317d36e.jpg[/img](AgCl/Ag)=0.222V,当溶液中Cl[img=11x15]17e0a6f6502786c.jpg[/img]浓度为0.1 mol·L[img=11x15]17e0a6f6502786c.jpg[/img]1时,该电极的电极电势值为() v A: 0.222 B: 0.2812 C: 0.1628
已知电极AgCl(s)+e=Ag(s)+Cl[img=11x15]17e0a6f6502786c.jpg[/img]在298.15K下的标准电极电势为φ[img=7x14]17e0a6de317d36e.jpg[/img](AgCl/Ag)=0.222V,当溶液中Cl[img=11x15]17e0a6f6502786c.jpg[/img]浓度为0.1 mol·L[img=11x15]17e0a6f6502786c.jpg[/img]1时,该电极的电极电势值为() v A: 0.222 B: 0.2812 C: 0.1628
测得原电池Ag,AgCl(s)∣Cl-(1.00mol·L-1)‖Ag+(1.00mol·L-1)∣Ag的电动势为0.577V。已知E θ(Ag+/Ag)=0.799V,则E θ(AgCl/Ag)和K spθ(AgCl)的值分别为( )。 A: 0.222V,1.66×10-10 B: 0.799V,1.66×10-10 C: 0.577V,1.66×10-10 D: 0.222V,1.66×10-13
测得原电池Ag,AgCl(s)∣Cl-(1.00mol·L-1)‖Ag+(1.00mol·L-1)∣Ag的电动势为0.577V。已知E θ(Ag+/Ag)=0.799V,则E θ(AgCl/Ag)和K spθ(AgCl)的值分别为( )。 A: 0.222V,1.66×10-10 B: 0.799V,1.66×10-10 C: 0.577V,1.66×10-10 D: 0.222V,1.66×10-13
已知A点高程为111.111,两点间高差为0.222,则B点高程是 A: 111.333 B: 110.889 C: 110 D: 120
已知A点高程为111.111,两点间高差为0.222,则B点高程是 A: 111.333 B: 110.889 C: 110 D: 120
某产品的次品率为0.02,合格品中一等品率为0.75,如果任取一件产品,取到的是一等品的概率是 A: 0.735 B: 0.75 C: 0.222 D: 0.232
某产品的次品率为0.02,合格品中一等品率为0.75,如果任取一件产品,取到的是一等品的概率是 A: 0.735 B: 0.75 C: 0.222 D: 0.232
图示四种结构,各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是() A: V〉V〉V〉V; B: V〈V〈V〈V; C: V〉V,V〉V,V〉; D: V〈V,V〈V,V〈。
图示四种结构,各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是() A: V〉V〉V〉V; B: V〈V〈V〈V; C: V〉V,V〉V,V〉; D: V〈V,V〈V,V〈。
请依据图建立可达矩阵,并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
请依据图建立可达矩阵,并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
工作在放大电路中的NPN型晶体管,必须满足()。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
工作在放大电路中的NPN型晶体管,必须满足()。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是()。 A: aVL、V~V B: V~V、V~V C: V~V、V~V D: V~V E: V~V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是()。 A: aVL、V~V B: V~V、V~V C: V~V、V~V D: V~V E: V~V
已知一有向图的邻接表存储结构如下,则根据有向图的深度优先遍历算法,从顶点V1出发,不能得到的顶点序列是()。 A: V,V,V,V,V B: V,V,V,V,V C: V,V,V,V,V D: V,V,V,V,V
已知一有向图的邻接表存储结构如下,则根据有向图的深度优先遍历算法,从顶点V1出发,不能得到的顶点序列是()。 A: V,V,V,V,V B: V,V,V,V,V C: V,V,V,V,V D: V,V,V,V,V